4月22日消息，據臺灣媒體報道，臺積電日前上傳了2019年年報，披露了去年更多詳細的運營信息。

臺積電

臺積電披露，去年為499個客戶生產10761種不同的芯片，應用范圍包括整個電子應用產業，包括個人電腦與其周邊產品、資訊應用產品、有線與無線通訊系統產品、伺服器與數據中心、汽車與工業用設備以及包括數字電視、游戲機、數碼相機等消費性電子、物聯網及穿戴式裝置，與其他許多產品與應用。

臺積電表示，終端電子產品的快速演進，將促使客戶采用臺積電公司創新的技術與服務以追求差異化，同時也會更促進臺積電公司自身的技術發展。

臺積電2019年晶圓出貨量達1,010萬片12寸晶圓約當量，上年為1,080萬片12寸晶圓約當量。

先進制程技術（16nm及以下更先進制程）的銷售金額占整體晶圓銷售金額的50%，高于上一年的41%。提供272種不同的制程技術。

臺積電表示，去年在半導體制造領域市場占有率達52%，高于上一年的51%。

我們談臺積電的時候，很多時候會強調他們在先進工藝的實力，今天帶大家看下臺積電的邏輯制程技術方面的主要成就吧！

● 5納米鰭式場效電晶體制程（Fin Field-Effect Transistor, FinFET）（N5）技術為臺積公司推出的最新技術。此一領先全球的技術于2019已接獲多個客戶產品投片，包含行動通訊以及高效能運算產品，并預計于2020年上半年開始量產。

相較于7納米FinFET（N7）技術，N5技術速度增快約15%，或者功耗降低約 30%。此外，N5技術自規劃開始，便同時針對行動通訊與高效能運算應用提供優化的制程選項。

● 5納米FinFET強效版（N5P）技術為N5技術的效能強化版技術，并采用相同的設計準則。相較于 N7技術，N5P技術速度增快約20%，或功耗降低約40%。N5P技術的設計套件預計于2019年第二季進行下一階段 N5 技術更新時推出。

● 6納米FinFET（N6）技術于2019年成功完成產品良率驗證。由于N6技術采用極紫外光（ExtremeUltraviolet, EUV）微影技術，能夠減少光罩數量，因此，如果與N7技術生產相同產品相較，采用N6技術生產可以獲得更高的良率，并縮短產品生產周期。此外，與N7技術相較，N6技術的邏輯晶體管密度提高約 18％，加上因光罩總數減少而獲得較高良率，能夠協助客戶在一片晶圓上，獲得更多可用的晶粒。

另外，N6技術的設計法則與N7技術兼容，亦可大幅縮短客戶產品設計周期和上市的時間。N6技術于2020年第一季開始試產，并預計于2020年底前進入量產。

● N7技術是臺積公司量產速度最快的技術之一，并同時針對行動運算應用及高效能操作數件提供優化的制程。總計截至2019年底共接獲超過100個客戶產品投片，涵蓋相當廣泛的應用，包含行動裝置、游戲機、人工智能、中央處理器、圖形處理器，以及網絡連接裝置等。此外，7納米FinFET強效版（N7+）技術于2019年開始量產，協助客戶產品大量進入市場。N7+技術是全球集成電路制造服務領域首個應用極紫外光于商業運轉的技術。此一技術的成功，除了證明臺積公司領先全球的EUV技術量產能力，也為6納米和更先進技術奠定良好基礎。

● 12納米FinFET精簡型強效版（12nm FinFET Compact Plus, 12FFC+）技術與16納米FinFET精簡型強效版（16nm FinFET Compact Plus，16FFC+）技術系臺積公司繼16納米FinFET強效版（16FF+） 技術、16納米FinFET精簡型（16nm FinFET Compact, 16FFC）技術及12納米FinFET精簡型（12nm FinFET Compact, 12FFC）技術之后，所推出的最新16/12納米系列技術，擁有集成電路制造服務領域16/14納米技術中最佳產品效能與功耗優勢，并于2019年進入試產。

16FF+技術系針對高效能產品應用，包括行動裝置、服務器、繪圖芯片，及加密貨幣等產品。12FFC+、12FFC、16FFC+及16FFC則皆能支援客戶主流及超低功耗（Ultra-LowPower, ULP）產品應用，包括中、低階手機、消費性電子、數位電視、物聯網等。總計目前 12FFC+、12FFC、16FFC+、16FFC、16FF+已接獲超過 500個客戶產品投片，其中絕大部分都是第一次投片即生產成功。

● 22納米超低漏電（Ultra-Low Leakage, ULL）（22ULL）技術于2019年進入量產，能夠支援物聯網及穿戴式裝置相關產品應用。同時，此一技術的低操作電壓（Low Operating Voltage, Low Vdd）技術也于2019年準備就緒。與40納米超低功耗（Ultra-Low Power, ULP）（40ULP）及55納米ULP制程相較，22ULL技術提供新的ULL元件、ULL靜態隨機存取記憶體（Static Random Access Memory, SRAM），和低操作電壓技術，能夠大幅降低功耗。

● 22納米ULP（22ULP）技術發展系根基于臺積公司領先業界的28納米技術，并于2019開始量產。與28納米高效能精簡型強效版（28nm High Performance Compact Plus, 28HPC+）技術相較，22ULP技術擁有芯片面積縮小10%，及效能提升10% 或功耗降低20%的優勢，以滿足影像處理器、數位電視、機上盒、智能型手機及消費性產品等多種應用。

● 28HPC+技術截至2019年底，總計接獲超過300個客戶產品投片。28HPC+ 技術進一步提升主流智能型手機、數位電視、儲存、音效處理及系統單芯片等產品應用的效能或降低其功耗。與28納米高效能精簡型（High Performance Compact）（28HPC）技術相較，28HPC+ 技術能夠進一步提升效能約15%或降低漏電約50%。

● 40ULP技術截至2019年底共接獲超過100個客戶產品投片。此技術支援多種物聯網及穿戴式裝置相關產品應用，包含無線網絡連接產品、穿戴式應用處理器及微控制器（Micro Control Unit, MCU）（Sensor Hub） 等。此外， 臺積公司采用領先的40ULP Low Vdd技術，為物聯網產品及穿戴式聯網產品提供低功耗的解決方案。新的強化版類比元件順利開發中，將進一步強化40ULP平臺，支援客戶未來更廣泛的類比電路設計。

● 55納米ULP（55ULP）技術，截至2019年底共接獲超過70個客戶產品投片。相較于55納米低功耗（55LP）技術，55ULP技術可大幅延長物聯網相關產品的電池使用壽命。此外，55ULP亦整合了射頻制程與嵌入式快閃存儲器制程，能讓客戶的系統單芯片設計更為簡單。

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