一般來說，官方宣傳數(shù)據(jù)都是最理想的狀態(tài)，有時(shí)候還會(huì)摻雜一些水分，但是你見過實(shí)測比官方數(shù)字更漂亮的嗎？

臺(tái)積電已在本月開始5nm工藝的試產(chǎn)，第二季度內(nèi)投入規(guī)模量產(chǎn)，蘋果A14、華為麒麟1020、AMD Zen 4等處理器都會(huì)使用它，而且消息稱初期產(chǎn)能已經(jīng)被客戶完全包圓，尤其是蘋果占了最大頭。

臺(tái)積電尚未公布5nm工藝的具體指標(biāo)，只知道會(huì)大規(guī)模集成EUV極紫外光刻技術(shù)，不過在一篇論文中披露了一張晶體管結(jié)構(gòu)側(cè)視圖。

WikiChips經(jīng)過分析后估計(jì)，臺(tái)積電5nm的柵極間距為48nm，金屬間距則是30nm，鰭片間距25-26nm，單元高度約為180nm，照此計(jì)算，臺(tái)積電5nm的晶體管密度將是每平方毫米1.713億個(gè)。

相比于初代7nm的每平方毫米9120萬個(gè)，這一數(shù)字增加了足足88％，而臺(tái)積電官方宣傳的數(shù)字是84％。

雖然這些年摩爾定律漸漸失效，雖然臺(tái)積電的工藝經(jīng)常面臨質(zhì)疑，但不得不佩服臺(tái)積電的推進(jìn)速度，要知道16nm工藝量產(chǎn)也只是不到5年前的事情，那時(shí)候的晶體管密度才不過每平方毫米2888萬個(gè)，5nm已經(jīng)是它的幾乎六倍！

另外，臺(tái)積電10nm工藝的晶體管密度為每平方毫米5251萬個(gè)，5nm是它的近3.3倍。

責(zé)任編輯：wv