（文章來源：電腦據點）

用過U盤的同學應該對U盤不陌生，有時候U盤老是壞，特別是做PE維護工具的同學，U盤應該壞了很多次了，如此先了解一下U盤、固態硬盤的芯片顆粒；閃存芯片分為三類：SLC、MLC、TLC。

我們的U盤、硬盤閃存內的一般都是SLC、MLC、TLC三種芯片顆粒，在買U盤、固態硬盤的時候就要多注意了，盡量在自己經濟能力范圍內買一個相對較好；

三種芯片顆粒的差別與SLC相比較，MLC生產成本較低，容量大。如果經過改進，MLC的讀寫性能應該還可以進一步提升。MLC架構有許多缺點，首先是使用壽命較短，SLC架構可以寫入10萬次，而MLC架構只能承受約1萬次的寫入。其次就是存取速度慢，在當前技術條件下，MLC芯片理論速度只能達到6MB左右。SLC架構比MLC架構要快速三倍以上。再者，MLC能耗比SLC高，在相同使用條件下比SLC要多15%左右的電流消耗。

SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格超貴（約MLC 3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命；MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次擦寫壽命；TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash廠家叫8LC，速度慢壽命短，價格便宜，約500次擦寫壽命，當前還沒有廠家能做到1000次。；需要說明的閃存的壽命指的是寫入(擦寫)的次數，不是讀出的次數，因為讀取對芯片的壽命影響不大；

SLC、MLC、TLC三代閃存的壽命差異：SLC 利用正、負兩種電荷 一個浮動柵存儲1個bit的信息，約10萬次擦寫壽命。MLC 利用不同電位的電荷，一個浮動柵存儲2個bit的信息，約一萬次擦寫壽命，SLC-MLC【容量大了一倍，壽命縮短為1/10】。TLC 利用不同電位的電荷，一個浮動柵存儲3個bit的信息，約500-1000次擦寫壽命，MLC-TLC【容量大了1/2倍，壽命縮短為1/20】。
（責任編輯：fqj）