前言

今天總結“STM32F103片內FLASH編程”，對于學習編程的人來說“FLASH”這個詞肯定很熟悉，因為FLASH主要用于存儲數據。對于STM32來說，內部FLASH的容量有大有小，從16K到2M不等，主要看芯片的型號。

對于剛從51或者430轉入學習ARM-Cortex M芯片的人來說，可能只知道內部FLASH是拿來裝載程序的，事實上Cortex M芯片內部FLASH的可以拿來編程的，而且還可以像外部FLASH一樣存儲數據。對，今天提供的工程就是使用內部FLASH像外部FLASH一樣讀寫數據，而且不是塊或者頁編程（即不覆蓋臨近地址數據）。

在實際的開發中，內部FLASH存儲數據也是很重要的一點，特別是一些不常修改，而且很重要的標志位，或者一些配置等，存儲在內部FLASH是很常見的。但是，這個地址一定要避開程序儲存的地址（我計劃后期整理編程地址規范及要求）。

每天總結的不僅僅是基礎，而是重點，不起眼的重點，容易被人忽視的重點。關注微信公眾號“EmbeddDeveloper”還有更多精彩等著你。

下載

今天提供下載的“軟件工程”都是在硬件板子上進行多次測試、并保證沒問題才上傳至360云盤。

今天的軟件工程下載地址（360云盤）：

https://yunpan.cn/cSFA6h6kwu5jb訪問密碼 bc34

STM32F10x的資料可以在我360云盤下載：

https://yunpan.cn/crBUdUGdYKam2訪問密碼 ca90

內容講解

工程概要說明： 提供工程的源代碼主要就是兩個接口，一個寫，一個讀。

void FLASH_WriteNWord(uint16_t* pBuffer, uint32_t WriteAddr, uint16_t nWord);

void FLASH_ReadNWord(uint16_t* pBuffer, uint32_t ReadAddr, uint16_t nWord);

相信經常編程的人都明白函數接口的意思（我的命名規則還是算比較人性化的），就是和常見的訪問外部FLASH一樣，不會覆蓋數據，我已經在實際工作中應用而且商業化了。

主要在地址“ADDR”處寫一個標志位，在地址“ADDR + 1”連續寫一串數據。如果標志位已經是“寫過”，則不會再次寫入數據，只會讀取數據，意思就是說數據只寫一次，以后每次只是讀取數據（就是保證掉電后數據會不會丟失）。每次讀取數據，通過串口打印出以前寫入的數據是否正確。

提供的工程以簡單為原則，詳細中文注釋，方便自己方便大家。

關于“STM32F103 片內FLASH編程”我把重要的幾點在下面分別講述：

一、寫函數接口

該函數位于flash.c文件下面；

注意：

A.參數pBuffer是數據緩沖區，是16位的，而不是8位的。（其實這里可以整理為8位的，由于時間有限，如果有需要，請微信里回復我，我抽時間整理一下）。

B.參數長度也是16位的數量。

C.地址是內部FLASH地址，可別溢出了，也別和程序沖突。最好看看你的程序大小及芯片容量。

二、讀函數接口

該函數位于flash.c文件下面；

注意的地方和上面寫函數接口一樣，主要是參數。

三、讀寫應用

該函數位于main.c文件下面；

藍色表示讀寫標志位

紅色表示讀寫數據

看一下就知道程序的流程是：“數據標志位”和“數據”都只寫一次，而每次上電讀一次標志位，再讀數據。

這里的“數據標志位”地址就在“數據”前面。

四、今天的重點

重點A.頁的大小：STM32F1小、中容量是1K，而大容量是2K,對于編程這里是有差異的。

重點B.STM32系列芯片中有很大一部分頁的大小都是規則的，也就是說都是1K或許2K大小，學過其他系列芯片的人可能知道，在其他很多芯片中也有不是規則的，如STM32F4中基本都不是規則的（如下圖F4芯片），有的一塊16K、128K等不規則。這樣的芯片對于今天提供的工程就不適用，今天提供工程適用于內部FLASH規則大小的芯片。

說明

今天提供的軟件工程基于STM32F103大容量芯片，中等及小容量芯片也使用，只要修改flash.h文件一個宏（頁大小就可以）。其實只要適當修改工程的部分配置,STM32F1的芯片都適用。