近日，咱們家推出了業內最高密度8Mbit ReRAM---“MB85AS8MT”(超高密度&極低功耗，富士通全新8Mbit ReRAM讓魚和熊掌得兼)，兼具“高密度位存取”及“低讀取電流”的特色，很給力有木有！熟悉富士通的小伙伴一定不會忘記獨具特色的FRAM，以及最新的NRAM，嵌入式存儲同門三兄弟，大家都分得清嗎？

眾所周知，富士通電子以讀寫次數幾乎不受限、超低功耗和超高讀寫速度的FRAM存儲器近年來在各種市場獲得廣泛應用，然而目前的硬件廠商更多針對特定任務對存儲的需求日趨多樣化。技術的多樣性正在為各種應用帶來類似 “定制化”的更優化設計選項。而嵌入式系統數據存儲領域也是如此，以不同獨特性能的各種存儲技術正在為許多應用需求提供“定制化”的方案，其中富士通在FRAM、NRAM以及ReRAM技術上已經能夠提供具有獨特優勢的細分化解決方案。

今天，小編就跟大家聊聊富士通新一代存儲技術的這套三連“組合拳”。

近乎無限次寫入數據——叱咤市場20年的FRAM

富士通自1999年開始生產FRAM，亦稱為FeRAM。FRAM是一種采用鐵電材料(PZT等)的鐵電性和鐵電效應來進行非易失性數據存儲的存儲器，既可以做到像SRAM的隨機讀取，又具備像Flash和EEPROM一樣掉電后重要數據實時保存的特點，FRAM結合了ROM和RAM的特性，并擁有高速寫入數據、低功耗和高速讀寫周期的優點，保證10萬億次的讀寫次數，最適用于需要實時記錄數據的測量儀表應用。

即使電源系統發生停電或驟降，寫入操作中的數據也可被完整地保護下來。在如電表等基礎生活有關的相關的測量儀表，以及要求有高可靠性的工業自動化設備，金融終端等應用中， FRAM 得到了非常廣泛的認可和使用。

極低功耗支持頻繁讀取——小型化趨勢的ReRAM

ReRAM亦稱作可變電阻式隨機存取存儲器，是一種非易失性存儲器，通過向金屬氧化物薄膜施加脈沖電壓，產生大的電阻差值來存儲“0”和“1”。其結構非常簡單，兩側電極將金屬氧化物包夾于中間，這簡化了制造工藝，同時可實現低功耗和高速重寫等卓越性能。此存儲器具備行業最低讀取電流,非常適用于可穿戴設備和助聽器。

富士通的 ReRAM 產品易于寫入操作，在寫入操作之前，不需要擦除操作，并且擁有豐富的中密度存儲線，涵蓋4Mbit、8Mbit、32Mbit。同時，最新的ReRAM產品“MB85AS8MT”在5MHz 的讀出操作最大電流僅為0.15mA，遠遠低于同樣條件的 EEPROM (3mA@5MHz)。

可穿戴設備和小型醫療設備一直是 ReRAM 的主要市場，為了使用可穿戴和醫療設備小型化和低功耗的要求，富士通的 ReRAM 的產品也將向小型化方向發展。

高速低功耗非易失性存儲——高耐久低成本的NRAM

BCC Research預計，全球NRAM市場將從2018年到2023年實現62.5%的復合年成長率(CAGR)，其中嵌入式系統市場預計將在2023年成長至2.176億美元，CAGR高達115.3% 。

作為一個比較“新”的產品，NRAM之所以能很快引起市場的注意，與NRAM獨有的優勢分不開——NRAM讀寫的速度比較快，讀寫耐久性比NOR Flash高了1000倍。可靠性高，在80度時存儲數據時限高達1000年，在300度時亦可達到10年。與此同時還具有低功耗的特點。此前，富士通曾與 Nantero 達成協議，使用三重富士通的 300mm 晶圓，共同開發 55nm CMOS 技術的 NRAM。

高性能的 NRAM 在眾多應用領域擁有明顯的競爭優勢：

· 可應用于任何系統：NRAM 不但是非易失性存儲器，又具有與 DRAM 同等的高速特點；

· 可實現 instant on（即開即用）功能，降低功耗的同時提高了系統的性能；

· 適應于逐漸增長的高溫環境市場需求。

作為NRAM的第一代產品，16Mbit的DDR3 SPI接口產品最快將于2020年底上市，勢必引發存儲行業的新一輪變革。

結論：

作為已經批量生產推向市場超過20年的產品，FRAM依然是富士通存儲解決方案當前的明星“花旦”，ReRAM和NRAM將為嵌入式系統存儲全方位解決方案提供完美補充。簡略地講，FRAM 用于數據記錄；ReRAM可替代大容量EEPROM；NRAM 用于數據記錄和電碼儲存，還可替代NOR Flash。