国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

有1.2萬(wàn)億個(gè)晶體管的世界最大芯片,用武之時(shí)到了

汽車玩家 ? 來(lái)源:集微網(wǎng) ? 作者:Vivian ? 2019-11-20 14:44 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

據(jù)外媒techspot報(bào)道,今年夏天,美國(guó)加州AI初創(chuàng)公司Cerebras Systems宣布推出世界上最大的芯片,這款名為“The Cerebras Wafer Scale Engine(WSE)”的芯片擁有1.2萬(wàn)億個(gè)晶體管,其當(dāng)時(shí)就被認(rèn)為就是為AI計(jì)算而生的。

現(xiàn)在,WSE已在Cerebras Systems公司推出的加速深度學(xué)習(xí)的新系統(tǒng)上找到了用武之地

在今年的超算大會(huì)上,Cerebras Systems公司的CS-1首次亮相。CS-1高約為26英寸,意味著一個(gè)機(jī)架中可安裝三臺(tái)。機(jī)器功率為20kW,其中4kW用于冷卻子系統(tǒng)。

新款CS-1可為最大AI計(jì)算芯片提供15kW的全功率供電(由于電源效率低損失了1kW)。

CS-1搭配Cerebras Wafer Scale引擎,此引擎比有史以來(lái)最大的GPU大56倍,內(nèi)核多78倍,片上內(nèi)存多3,000倍,并且提供33,000倍的帶寬。換句話說(shuō),其非常快。

此外,它可與開(kāi)源ML框架(例如PyTorch和TensorFlow)一起使用,以提高靈活性。

該公司表示,有關(guān)硬件更多的細(xì)節(jié),例如時(shí)鐘速度,將會(huì)在不久的將來(lái)與大家分享。

CS-1配置驚人,售價(jià)也將非常昂貴。目前公司尚未透漏CS-1的具體售價(jià),但其中一位發(fā)言人稱,其成本在數(shù)百萬(wàn)美元。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    463

    文章

    54010

    瀏覽量

    466107
  • AI
    AI
    +關(guān)注

    關(guān)注

    91

    文章

    39793

    瀏覽量

    301427
  • 深度學(xué)習(xí)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    73

    文章

    5599

    瀏覽量

    124398
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    揭秘芯片測(cè)試:如何驗(yàn)證數(shù)十億個(gè)晶體管

    微觀世界的“體檢”難題在一枚比指甲蓋還小的芯片中,集成了數(shù)十億甚至上百億個(gè)晶體管,例如NVIDIA的H100GPU包含800億個(gè)
    的頭像 發(fā)表于 03-06 10:03 ?32次閱讀
    揭秘<b class='flag-5'>芯片</b>測(cè)試:如何驗(yàn)證數(shù)十億<b class='flag-5'>個(gè)</b><b class='flag-5'>晶體管</b>

    詳解NMOS晶體管的工作過(guò)程

    在每一顆芯片的內(nèi)部,數(shù)十億個(gè)晶體管如同高速開(kāi)合的微型水閘,構(gòu)成數(shù)字世界的最小邏輯單元。以NMOS為例,我們將揭開(kāi)它如何依靠電場(chǎng)控制電子流動(dòng),在“關(guān)斷”與“導(dǎo)通”之間瞬間切換,并以此寫下
    的頭像 發(fā)表于 12-10 15:17 ?943次閱讀
    詳解NMOS<b class='flag-5'>晶體管</b>的工作過(guò)程

    MUN5136數(shù)字晶體管技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    onsemi MUN5136數(shù)字晶體管旨在取代單個(gè)器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。這些數(shù)字晶體管包含一個(gè)晶體管和一個(gè)單片偏置網(wǎng)絡(luò),單片偏置網(wǎng)絡(luò)由兩
    的頭像 發(fā)表于 11-24 16:27 ?769次閱讀
    MUN5136數(shù)字<b class='flag-5'>晶體管</b>技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期

    電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期 以前發(fā)表過(guò)關(guān)于電壓選擇晶體管的結(jié)構(gòu)和原理的文章,這一期我將介紹一下電壓選擇晶體管的用法。如圖所示: 當(dāng)輸入電壓Vin等于電壓選擇晶體管QS的柵極控制電壓時(shí)
    發(fā)表于 11-17 07:42

    0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管 skyworksinc

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,0.45-6.0
    發(fā)表于 09-18 18:33
    0.45-6.0 GHz 低噪聲<b class='flag-5'>晶體管</b> skyworksinc

    多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

    ,有沒(méi)有一種簡(jiǎn)單且有效的器件實(shí)現(xiàn)對(duì)電壓的選擇呢?本文將介紹一種電場(chǎng)型多值電壓選擇晶體管,之所以叫電壓型,是因?yàn)橥ㄟ^(guò)調(diào)控晶體管內(nèi)建電場(chǎng)大小來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)電壓的選擇,原理是PN結(jié)內(nèi)建電場(chǎng),通過(guò)外加電場(chǎng)來(lái)增大或減小
    發(fā)表于 09-15 15:31

    晶體管架構(gòu)的演變過(guò)程

    芯片制程從微米級(jí)進(jìn)入2納米時(shí)代,晶體管架構(gòu)經(jīng)歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關(guān)鍵演變。這不僅僅是形狀的變化,更是一次次對(duì)物理極限的挑戰(zhàn)。從平面晶體管到MBCFET,每一次架構(gòu)演進(jìn)到底解決了哪些物理瓶頸呢?
    的頭像 發(fā)表于 07-08 16:28 ?2304次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>架構(gòu)的演變過(guò)程

    晶體管光耦的工作原理

    器件的特性。工作原理概述1.發(fā)光器件:晶體管光耦通常包含一個(gè)發(fā)光二極(LED)作為光源。當(dāng)電流通過(guò)LED時(shí),它會(huì)發(fā)出特定波長(zhǎng)的光。2.光敏器件:光耦的另一側(cè)是一個(gè)
    的頭像 發(fā)表于 06-20 15:15 ?922次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>光耦的工作原理

    下一代高速芯片晶體管解制造問(wèn)題解決了!

    允許兩個(gè)晶體管容納在一個(gè)晶體管的面積內(nèi),同時(shí)提升性能并降低功耗。然而,CFET 的生產(chǎn)難度極高,因此像 Imec 這樣的芯片制造商和研究人員
    發(fā)表于 06-20 10:40

    鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的原理和優(yōu)勢(shì)

    自半導(dǎo)體晶體管問(wèn)世以來(lái),集成電路技術(shù)便在摩爾定律的指引下迅猛發(fā)展。摩爾定律預(yù)言,單位面積上的晶體管數(shù)量每?jī)赡攴环@一進(jìn)步在過(guò)去幾十年里得到了充分驗(yàn)證。
    的頭像 發(fā)表于 06-03 18:24 ?1916次閱讀
    鰭式場(chǎng)效應(yīng)<b class='flag-5'>晶體管</b>的原理和優(yōu)勢(shì)

    無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管詳解

    當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET) 垂直于溝道方向
    的頭像 發(fā)表于 05-16 17:32 ?1418次閱讀
    無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)<b class='flag-5'>晶體管</b>詳解

    多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

    ,有沒(méi)有一種簡(jiǎn)單且有效的器件實(shí)現(xiàn)對(duì)電壓的選擇呢?本文將介紹一種電場(chǎng)型多值電壓選擇晶體管,之所以叫電壓型,是因?yàn)橥ㄟ^(guò)調(diào)控晶體管內(nèi)建電場(chǎng)大小來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)電壓的選擇,原理是PN結(jié)內(nèi)建電場(chǎng),通過(guò)外加電場(chǎng)來(lái)增大或減小
    發(fā)表于 04-15 10:24

    晶體管電路設(shè)計(jì)(下)

    晶體管,F(xiàn)ET和IC,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計(jì),源極跟隨器電路設(shè)計(jì),F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)與制作,柵極接地放大電路的設(shè)計(jì),電流反饋型OP放大器的設(shè)計(jì)與制作,進(jìn)晶體管
    發(fā)表于 04-14 17:24

    晶體管電路設(shè)計(jì)(下) [日 鈴木雅臣]

    本書主要介紹了晶體管,F(xiàn)ET和Ic,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計(jì),源極跟隨電路的設(shè)計(jì),F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)和制作,柵極接地放大電路的設(shè)計(jì),電流反饋行型op放大器的設(shè)計(jì)與制作
    發(fā)表于 03-07 13:55