當前，先進制程仍是半導體產業(yè)趨勢的重點之一，尤其在業(yè)界龍頭臺積電對于其先進制程布局與時程更加明確的情況下，增加主要供應鏈廠商對納米節(jié)點持續(xù)微縮的信心，勢必也將帶來更多元的設備與材料需求；然而，連帶對于設備與材料規(guī)格提升的需求，也考驗供應鏈廠商在產品競爭力上的表現。

臺積電7nm表現持續(xù)亮眼，持續(xù)增添發(fā)展先進制程的信心

臺積電在7nm的卓越成果為先進制程后續(xù)發(fā)展打下穩(wěn)固基礎，也讓鰭片式（FinFET）結構晶體管能有更多應用。從臺積電目前表現來看，7nm節(jié)點在技術與產能上的規(guī)劃已超過2019年初時對量產產能的預估，除了既有的7nm加強版囊括眾多產品線外，7nm EUV產能受惠于客戶的加量投片下，預估在2019年第四季能有1.5倍左右成長。

加上在6nm制程方面，由于6nm制程與現行7nm制程共享生產機臺與流程，縮短不少開發(fā)時間，包括海思、Qualcomm、Broadcom、Apple、AMD及聯發(fā)科等主要客戶對前進6nm制程展現高度興趣，積極投入測試，相信原訂2020年第一季風險試產的6nm規(guī)劃將如期落實，因此預估整體7nm（包括7nm第一代、7nm第二代加強版、7nm EUV、6nm）產能在2020上半年前將持續(xù)擴產20～25%以上。

臺積電下一階段納米節(jié)點微縮計劃更加明確，2nm時程有譜

在5nm制程方面，已建構出具可靠性的前段制造流程架構，預計2019年第四季或將進入拉抬良率階段，憑借豐富的數據庫與制程調整經驗快速提升新品良率，能大幅縮短產品學習曲線，因此在量產時程上目前仍處于業(yè)界領先位置；再繼續(xù)做納米節(jié)點微縮，3nm開發(fā)目前還在「尋找路徑（Path-Finding）」階段，且由于線寬間距極小，在漏電方面的問題難度提升，也催生晶體管結構改變的可能。

目前GAA（Gate-All-Around）是Samsung主要采用在3nm制程架構，藉由閘極全面包覆來增加與硅的接觸面積，達到良好的漏電控制；而臺積電目前除了GAA技術的研究外，仍有在評估FinFET的最大應用限度，畢竟從7nm與5nm得到的寶貴經驗中發(fā)現，FinFET確實還有延續(xù)的可能性，且由于晶體管結構一脈相成，在性能表現與可靠度上或將比新的結構來得可掌握，相信也能增加客戶的采用意愿。

此外，臺積電也確認2nm的相關建廠與開發(fā)計劃，以目前技術的研發(fā)時程推斷，2nm出現的時間點預估落在4年后，雖然屆時勢必面臨晶體管結構的改變與挑戰(zhàn)，但此舉也為相關廠商帶來納米節(jié)點微縮仍具有獲利的可能性與技術必須性，將持續(xù)推動半導體產業(yè)供應鏈發(fā)展。

先進制程為設備與材料供應商帶來新挑戰(zhàn)，相關廠商積極推出解決方案

先進制程面臨的挑戰(zhàn)不僅在制程微縮方面，也同樣存在于半導體設備與材料廠商。主要是在微縮過程中，對Particle的容忍度越來越低，由Particle產生缺陷（Defect）的機率提升，不管在清洗晶圓的化學藥液或制程用水，亦或是光阻劑、CMP研磨液及蝕刻液或氣體等，要求的質量與潔凈度越來越高。

業(yè)界主要的化學品及制程用水過濾濾芯供應美商Entegris與美商Pall，就針對不斷微縮的制程持續(xù)開發(fā)新型過濾濾芯，不僅在濾膜表面的孔洞微縮至1nm程度，也持續(xù)研究各種化學吸附或離子交換膜等方式優(yōu)化過濾效果，對應不同種類的化學藥液與制程用水的過濾需求。

另外，在先進制程中扮演重要角色的EUV光刻機供應商ASML，除了現有主要廠商采用的EUV光刻機NXE:3400B外，也預計2019下半年出貨下一世代的EUV光刻機－NXE:3400C，具有更高的NA（數值孔徑）值提升分辨率，以及更快的Throughput（單位時間晶圓處理量，WPH），能進一步提升EUV在顯影表現與晶圓處理效率，是先進制程發(fā)展不可或缺的重要設備。

值得一提的是，有鑒于臺積電在先進制程方面成為業(yè)界領導廠商，除了確保未來先進制程對設備與材料的需求外，也讓有意進入先進制程的設備與材料廠商，以臺積電的認證為首要目標。

而就臺積電規(guī)格要求來看，即便供應鏈廠商技術到位，仍需不斷根據制程需求做更新，包括機臺改造與高規(guī)格材料的導入，才能在先進制程發(fā)展下保有各自的產品競爭力。