6月東芝停電事件，加上7月開始日韓貿易戰(zhàn)延燒，推動了已跌到虧損流血的NAND Flash現(xiàn)貨價率先反彈，結束了2年多來的空頭走勢，此波存儲器價格由NAND Flash先起漲，接下來日韓貿易戰(zhàn)加入下，DRAM在7月份現(xiàn)貨價也開始反彈。

整體來看，對市場價格較敏感的通路商開始拉貨，推動部分比較受惠于現(xiàn)貨市場的存儲器模組廠商營運也明顯反彈；但在合約市場部分，由于合約市場走向仍是取決于整體供需狀況，又因日韓貿易戰(zhàn)管控的半導體材料并非完全禁止出口，再加上需求面沒有太大改善，所以合約市場是否可以開始開啟一波多頭走勢則仍待觀察，日韓貿易戰(zhàn)若雙方關系更趨于緊張導致實質影響供給，才較有機會助整體市況改善。

現(xiàn)貨市場DRAM/NAND Flash價格反彈

由于東芝停電事件影響所及，造成此波NAND價格正式于6月落底反彈，再加上供給端一直有受到控制，近期又加上SK Hynix宣布減產(chǎn)，推動現(xiàn)貨市場率先反彈，此波反彈以擁有較多現(xiàn)貨的存儲器模組廠商威剛率先發(fā)難，甚至宣布管控出貨，采用優(yōu)先出貨大客戶的方式來控管，威剛董事長陳立白認為，這一波存儲器的反彈不會是暫時性短暫的，下游的庫存在這一波空頭后都已壓到很低，現(xiàn)在則回頭再來備安全庫存。事實上，DRAM現(xiàn)貨價在8月份仍是向上走勢。

DRAM現(xiàn)貨價自底部到最高峰價約反彈5成水準，陳立白表示，短期內日韓貿易戰(zhàn)紛擾不易解決，恐影響韓國存儲器廠全產(chǎn)能量產(chǎn)，加上上游原廠也紛紛宣布減產(chǎn)或延后資本支出和設備投資，這一波反彈格局可達11月。

而在NAND的部分，均價于2017年11月起迄今已歷經(jīng)相當長時間的跌勢，價格已貼近廠商現(xiàn)金成本，且已長期壓在不合理的流血價，相對在東芝跳電影響下，估約影響全球10%的NAND產(chǎn)能，推動NAND Flash主要廠商都在第一時間同步調漲價格，8月現(xiàn)貨價格持續(xù)反彈。

研調單位仍保守看合約市場

對于日韓貿易戰(zhàn)的影響，研調機構TrendForce表示，日韓原物料事件雖帶動DRAM現(xiàn)貨市場價格出現(xiàn)反彈，但現(xiàn)貨市場的規(guī)模小，無法有效去化原廠的高庫存，加上終端需求仍然疲軟，7月合約價格持續(xù)走跌。

宇瞻總經(jīng)理張家騉則認為，合約市場占整個DRAM 9成的量，以目前即便日本把韓國踢出貿易白名單，也只是延后出貨日本的半導體關鍵材料，不代表會斷鏈，但以合約價在往下走的狀況來看，目前堆庫存都是不智之舉。

TrendForce表示，現(xiàn)階段并未因貿易戰(zhàn)而阻斷了存儲器的生產(chǎn)，而合約價的議定在于供需的基本面，在產(chǎn)出目前尚未受到影響的情況下，合約市場并未見到支撐價格的明顯力道，未來整體合約市場存儲器的走勢，仍要觀察貿易戰(zhàn)的延燒狀況，若真的動搖到生產(chǎn)，整體存儲器產(chǎn)業(yè)的供需則有機會較為改善。