MPS提供業界首顆單片集成900V FET芯片—HF900，為工程師提供了高輸入電壓應用的設計利器。在智能電表的設計中，HF900不僅能提供符合耐壓要求的功率器件，更能簡化設計，減小電源尺寸，提高產品的可靠性。

在傳統單相電表設計中，為了克服寬輸入范圍，一般采用MOSFET層疊式的方案。而HF900由于集成了900V FET，提供了更加簡潔的設計(參見圖一)。

圖一 傳統層疊式反激電路與HF900反激電路的比較 (點擊看大圖)

簡化設計的同時，HF900在設計中，還充分考慮了芯片的熱特性。由于獨特的單片集成工藝和封裝結構，芯片的溫升比一般的co-pack方案低許多（參見表一）。同樣重要的是，HF900能夠更準確地測量到同一個DIE上的FET的溫度。當FET溫度超過150°C時，芯片關閉FET，全面保證電源的可靠工作。

表一

測試條件: VIN=597VDC, POUT=5W, 不加散熱器

總結：

1. 低EMI

單片集成的FET采用GND為襯底的平面DMOS結構，相比以Drain為襯底的垂直溝道FET，動點面積更小，有利于降低EMI干擾。此外，HF900提供了抖頻功能，幫助工程師克服EMI干擾。

2. 不對PLC產生影響

HF900還充分考慮了PLC在電表中廣泛應用的實際情況，采用定頻工作且頻率可設的方式，保證不對PLC產生影響。