開展首日，來自華虹宏力研發部門的邢軍軍科長便已在“第二屆(上海)電源半導體技術論壇”以“深耕卓越功率技術，智造綠色‘芯’未來”為題火熱開講，讓我們一起走進現場吧！

IC China2017現場新聞速遞：

華虹宏力是全球首家、最大的功率器件8英寸代工廠，在生產功率器件方面擁有15年的良好往績，可提供全電壓解決方案，更是業內首個擁有深溝槽超級結（Deep Trench Super Junction，DT-SJ）及場截止型IGBT（Field Stop，FS IGBT）工藝平臺的200mm代工廠。目前，華虹宏力在加速研發適用于高端工業及新能源汽車的IGBT技術。

IGBT技術隨著綠色能源、工業4.0及新能源汽車等市場的發展，需求日益旺盛，引起了業界廣泛關注。華虹宏力擁有國內最全、最先進的全套IGBT背面制程代工技術，可生產技術性能與國際領先者的產品相比肩的場截止型IGBT。邢軍軍科長表示：“通過設備升級、改造，華虹宏力成功配置了一整套IGBT超薄片（可生產至60微米薄片）背面工藝/測試生產線，成功實現量產。配合獨特的激光退火工藝用于背面注入雜質激活，大大提高背面注入雜質的激活率。”此外，華虹宏力的IGBT采用了FS/SPT/LPT（軟穿通）縱向結構器件及溝槽柵柵結構，有效降低了損耗和降低生產成本。

超級結產品作為一種新型的功率型MOSFET結構，擁有極低的傳導損耗和極快的開關速度，在工業電源、逆變器、快速充電器、電動車充電樁等傳統和新興領域有著諸多應用。華虹宏力獨特的、富有競爭力的DT-SJ工藝享有加工周期短，費用低，光罩層數少（一般8~9層photo layer）等顯著優勢。“今年年初，華虹宏力又推出了第三代 Super Junction平臺。”邢軍軍科長介紹道，“該平臺每單元區域導通電阻（Rsp）為1.2ohm.m㎡，技術參數達到了業界一流水平。”華虹宏力還將深耕超級結技術，持續往高耐壓（~1000V）/大電流（~40A）驅動方向發展，延續其“全球功率器件領導者”的戰略布局。