2017年的MOS-AK 器件模型國際會議于6月29-30日在美麗的杭州舉辦，會議得到了當地組織方杭州電子科大的積極支持和配合，籌備工作非常順利，MOS-AK組委會也非常期待半導體產業的朋友來參加這個會議，因為器件模型是中國半導體產業薄弱環節，需要大家一起來扶持和幫助。通過一段時間的積累，相信大家能看到通過模型產業的發展，國內的半導體產業自身會擁有更多核心價值。

這次會議有幾個邀請報告，在這里，我們先向大家介紹一下這些報告的主要亮點，喜歡的朋友不要錯過。

1. Beyond 100GHz: Device characterization for THz applications(IMS-Lab)

報告的內容基于歐盟項目的結果，主要介紹在100GHz 以上的 on-wafer 校準，去嵌，測試結構方面必須注意的事項：比如探針接觸，探針位置，機械性探針變形和探針之間的耦合對測量的影響等。這個對高頻電路設計公司非常有意義，因為設計仿真結果和流片的不匹配是經常發生的事情，需要在測試結構設計，測量知識方面就打好基礎。

2. Latest improvments in modeling for GaN and GaAs foundry processes with the support of ADS capabilities (UMS-GaAs)

此篇報告主要介紹UMS在運用Dr. C.Chang 創新的III-V 器件模型方程的基礎上實現了對GaN和GaAsNon-Linear 特性的描述，同時也包括了頻率離散現象，比如自熱和電荷陷阱現象。新的擴展方程保證了對于不同尺寸的器件能夠有比較準確可靠的模擬結果，也在PA， LNA等的設計中得到驗證。 除了非線性模型，ADS PDK 也包含了DRC，3D 演示（for momentum simulation)，更多的PDK 方面的改善也會在報告中提到。這個報告內容對III-V設計公司和科研院所是非常有意義的。

3.Surface Potential Based Compact Model for Thin Film Transistor (IME Chinese academy)

此篇報告運用了基于物理基礎的surface potential model對TFT器件進行了研究。 對TFT器件的模型描述在模型界一直是難點，主要原因是TRAP的影響對器件性能變化非常大。本篇報告通過新模型的開發和應用，真正的實現了在RFID應用方面的驗證，使設計人員能夠比較準確預判電路的特性和結果。這個報告也充分顯示了模型對于電路設計的核心價值。

4. A New Compact Model for FinFETs Accommodating Inner Thermal Effect (Hangzhou dianzi University)

隨著工藝節點的減小，FinFET的新結構也越來越受人關注，不僅在數字應用方面，RF也有應用。 由于器件非常小，自熱效應明顯，為了描述此現象，一個新型的小信號bulk FinFET模型 應運而生。 這個模型在SMIC 14nm bulk FinFET 上得到了驗證，仿真和硅片數據在100Khz-50.2GHz 之間取得了很好的一致。這為后續設計人員設計新型電路打好了扎實的基礎。沒有好的器件模型，設計人員的效率會變的低下和無效。

5. Radiation Hardening of Memory Products （Cypress semiconductor)

防輻射對于某些產品來說一直是頭疼的問題。在這篇報告中，作者對輻射環境和安全操作的內存產品在衛星應用中的挑戰做了概述。討論了基本輻射對單個晶體管水平的影響以及空間輻射效應對產品級的影響，也討論易失性和非易失性內存技術。 特別是電離總劑量（TID）對在65nm CMOS基于SONOS NOR閃存的非易失性存儲器的數據保留行為的影響。基于觀測到的輻射效應，報告最后提出了如何使器件仿真通向電路級輻射效應仿真的方法和建議。

除了上述邀請報告，我們也有來自很多來自工業界，學術界一年來在模型方面的研究和進展報告，他們是Keysight, NXP，Synopsys，HHGRACE ，Qinhuang University, HIWAFER，THz R&D institute, SIMIT, Silicon Radar, Cogenda等，特別是Silicon Radar 會給大家帶來針對于目前熱門的77GHz, 122GHz雷達芯片系統設計方面的系統模型經驗。 感興趣的朋友，如果想報名或者了解會議報告內容可以參考微信左下角的閱讀原文或者到http://www.xmodtech.cn/Agenda 。

最后歡迎大家積極參加國內舉辦的MOS-AK器件模型國際會議，一起為這個有意義的活動加油鼓勁，讓模型這個被很多人忽視的產業重新獲得重視，讓中國半導體產業獲得更多和國外半導體競爭的核心價值。