2017 在杭州電子科技大學舉辦的MOS-AK 器件模型國際會議，我們很欣喜得看到了國內對基礎研究有很多投入的公司，它就是鴻之微科技(HZWTECH), 在這次會議上帶來了對新材料，新器件和對器件性能表征有挑戰性的設計和仿真解決方案。

仿真是設計人員和半導體廠之間的橋梁，演講以當前傳統仿真碰到的問題入手，隨著半導體器件尺寸縮小，越來越多的物理現象需要更多的參數來解釋。 從工藝仿真，器件搭建到最終的器件仿真，整個工程是龐大而耗時。更嚴重的問題是對于某些物理現象和新材料，傳統仿真無從著手。

在這種背景下，更基于底層的原子TCAD仿真，相比于傳統的工具，讓人感到返樸歸真的感覺--簡單，最基礎的才是好。在量子仿真中，使用了電子傳輸的全量子描述，材料特性的預測和非平衡格林函數的可測試性設計，同時也可以獲得緊湊模型和必要的參數，為新器件設計提供預測幫助。

這種基于原子的仿真，應用非常廣泛，對于前沿的新材料，新器件開發有著很好的指導意義。

從上面的應用來看，原子仿真的優勢是明顯的，對于材料，器件特性有非常深入和準確的描述，特別針對于目前熱門的TFT，MTJ ,FDSOI和先進節點MOSFET器件研究是很好的切入點。作為一個完整的仿真工具，和傳統TCAD一樣，需要抽出器件參數，用于將來的仿真。

報告對Atomistic-TCAD工具作了總結，對將來的應用也是充滿期待。

從大會的反饋來看，很多對新器件，新材料研究的單位是非常有興趣的，同時對于國內半導體的前沿預測有非常好的借鑒，也能使中國半導體能在基礎研究上和歐美等先進國家縮小差距。

上述材料由HZWTECH提供，作為本次的贊助商和演講單位，確實給國內的半導體產業帶來了一股清新的味道。希望明年2018能看到國內有更多扎根于基礎研究的企業來到國際模型會議演講。