在政策的大力推動下，人工智能產業正步入加速發展期，并給軟硬件產品帶來新發展機遇。人工智能領域的獨角獸企業寒武紀，地平線、深鑒科技等人工智能芯片企業，均致力于開發AI處理器、建立AI開發平臺，并積極推出新產品和新應用。 按照研究機構的數據統計預測，在將來的幾年里，人工智能領域將迎來前所未有的大布局和大繁榮。

從人工智能的半導體項目來看有明顯的幾個特征：

1. 基本上是大玩家在參與（如google,百度等)，有少許初創企業

2. 投資巨大 ，背后有大的基金或者投資機構支持

3. 產品應用這塊，高功率比如服務器，低功率比如移動平臺

從設計和工藝來看基本上有以下特征：

1. 基本上使用最先進的半導體工藝，比如16nm, 7nm FinFET等

2. 新的處理器架構

3. 大的裸片和封裝

4. 非常多的界面

5. 需要高速傳輸界面來傳輸大數據

6. 寬的功率譜

7. 芯片非常昂貴 （前期投入加上量產不夠）

在這種背景下，我們仔細看一下傳統的on-chip ESD是否符合AI 芯片的需求，特別是半導體廠的現有解決方案是否存在局限和新的挑戰。

1. 先進的工藝節點（FinFET) 非常容易產生ESD保護失敗

a. 核心器件和IO 器件經不起snapback

b. 核心器件容易遭受瞬態氧化物擊穿（Transient oxide Breakdown)

2. 最高的瞬態電壓對于核心器件不能超過3V

3. 沒辦法使用自我保護NMOS/PMOS驅動

4. RC-big FET 引入非常大的漏電

5. 金屬鏈接非常單薄，缺乏穩定性

為了解決上述的困境，專注于on-chip ESD 解決方案的sofics 提出了自己的解決方案使上面的各種問題迎刃而解。關鍵在和客戶的項目合作中，獲得了很多寶貴的經驗, 比如已經結束的5個16nm FinFET 項目，1個 12nm FinFET 項目，和目前在進行的 7nm FinFET 項目等。 這些項目主要用于人工智能，人機學習，硅光電，高速傳輸等應用。

上面也談到，人工智能需要大數據和高速傳輸，設計人員也非常清楚，高速電路不能容忍高寄生電容，因此在這個方面，Sofics 的解決方案也實現了：

在PAD中不引入ESD電路的電阻

實現超低寄生電容，比如10-20fF

在模擬電路中實現更低工作電壓，低于標準IO水平

ESD是一個比較特殊的方向，在芯片沒有出來之前預期不了真正的性能，所以直接使用硅片驗證過(Si-Proven) 的ESD解決方案尤其重要，這樣一來，充分減少了芯片ESD失敗的風險（導致芯片開發周期延長，失去市場），同時Sofics的解決方案可能幫助客戶在高端的工藝節點上實現增加ESD性能外，還能減少ESD面積，使芯片費用減少，更有競爭力。

Sofics 的on-chip ESD 覆蓋目前主流工藝，應用也非常廣泛，除了上面的人工智能，硅光電，高速電路外，汽車電子，物聯網，SOI，防輻射，醫療等應用，都有我們的身影，對IO有特殊需求的，我們也可以私人定制。作為深耕on-chip ESD 領域近20年的公司，希望和國內的AI 公司以及其他領域的設計公司，半導體廠深度合作。