2018年，將在清華大學舉辦的MOS-AK 北京器件模型會議（6月14-16日）, 大家投稿踴躍，超過了歷年，目前安排20篇演講報告。其中防輻射，高可靠性模型這塊的報告有4篇， III-V族高頻微波有7篇， 先進節點有3篇，器件基礎原理有2 篇，電路產品應用有2篇，模型，測試平臺相關的2篇。我們有幸邀請到了業界專家來分享最近的產學研成果，讓大家充分認識到器件模型的核心價值。邀請報告內容覆蓋模型基礎，和模型相關的器件，電路和針對市場上的產品應用，感興趣的，可以報名參會，和專家面對面交流。報名參會，請點擊閱讀原文。今天，我們簡短分享其中的一些報告：

1. mHEMT based MMICs, Modules, and Systems for mmWave Applications

(Fraunhofer IAF &Ondosense)

文章首先從工藝角度，介紹德國Fraunhofer IAF 的HEMT 用的材料和結構來實現器件理想的溝道和外延特性，同時在溝通長短方面，IAF也會介紹成熟的50nm mHEMT以及正在研發的35nm mHEMT 和 業界領先的20nm mHEMT。對于超高頻率器件的建模，電路，模塊設計，都會碰到非常嚴峻的挑戰, 報告會分別介紹在這些方面所取得的進展，同時也會帶來工業界的應用解決方案，比如芯片用于定位，材料無損測試，液體監測，人體, 財產安全檢測等，屬于一個非常典型的產學研報告。

2. What Silicon Modelers Should Know About III-Vs for TCAD（Qorvo)

美國Qorvo的文章介紹了III-V器件如果用TCAD仿真，必須注意的幾個要點。一般來說，由于III-V電路簡單，生產周期短，用TCAD比較少，然而隨著越來越復雜的THz電路，TCAD 也有其必要性。在做仿真的時候，需要注意以下幾點：

A: III-V HBT 器件外延生長時，帶入的摻雜分布和材料特性有不一致性

B: 仿真器中的材料模型參數可能和實際的材料不同

C: 異質結的導帶偏移不能明確知道

D: 需要硅材料中的velocity vs. field 類似模型解決收斂問題

3. Recent development of first-principle approach for computational nanoelectronics （IOS， CAS)

半導體所的文章，首先回顧第一性原理（密度泛函理論）來計算納米電子，通過對二維（2D）材料為基礎的亞10nm晶體管的性能極限仿真來做實驗，然而，對于現實晶體管，需要采用大規模算法用于模擬數千個原子系統，同時還采用第一性原理結合MARCUS電荷轉移理論或輸運方程研究電荷陷阱缺陷，以形成多尺度模擬可靠性退化機制，如典型MOS晶體管中的偏置溫度不穩定性（BTI）和在3D NAND閃存中的橫向電荷損失。最后，提出了對百萬原子級別的真實器件，用未來第一性原理方法進行模擬的一些物理性展望。

PS：Compact modeling workshop Agenda （最新器件模型會議日程）

6月14日培訓課程：

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