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共模電感和差模電感都是抗電磁干擾有效的元器件之一，廣泛應用于各種濾波器、開關電源等產品，但是共模電感是用來抑制共模干擾，而差模電感是用來抑制差模干擾，兩種都是比較重要的濾波電感。...
光電二極管又稱為光敏二極管，它是一種將光信號變成電信號的半導體器件。它的核心部分也是一個PN結，和普通二極管相比，在結構上不同的是：光電二極管的外殼上有一個透明的窗口以接收光線照射，實現光電轉換。...
上海貝嶺新推出四款高帶寬模擬開關產品BL1561、BL1557、BL1558和BL1559，可在1.8V~5.5V的電源范圍內工作，支持軌到軌輸入/輸出。產品具有雙向、低功耗、低漏電流、高速、高帶寬的特點，適用于需要對音頻、視頻和通訊信號進行切換的應用場合。...
SiC 生產過程分為 SiC 單晶生長、外延層生長及器件制造三大步驟，對應的是產業鏈襯底、外延、器件與模組四大環節。 主流制造襯底的方式首先以物理氣相升華法，在高溫真空環境下將粉料升華，通過溫場的控制在籽晶表面生 長出碳化硅晶體。...
在工程實際中還有很多情況，我們可能不能準確知道磁芯型號，也很難知道電感飽和電流大小，有時候也不能方便的測試電感電流；這時候我們還可以通過測量電感是否有異常溫升，或者聽是否有異常嘯叫等手段來初步判斷是否發生了飽和。...
晶體管是現代電子設備中至關重要的元件之一，其穩定性對于設備的性能和可靠性至關重要。為了提高晶體管的穩定性，有幾個關鍵的方面需要考慮和優化。...
同相放大器（non-inverting amplifier ）配置是最流行和最廣泛使用的運算放大器電路形式之一，并且用于許多電子電路設計中。 運算放大器同相放大器電路提供高輸入阻抗以及使用運算放大器獲得的所有優點。...
IGBT模塊短路特性強烈地依賴于具體應用條件，如溫度、雜散電感、IGBT驅動電路及短路回路阻抗。...
ADC外設是12位的逐次逼近型（SAR）模擬數字轉換器，可以將模擬信號轉換成數字信號。...
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優點。...
在高壓開關電源應用中，相較傳統的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優勢。使用硅MOSFET可以實現高頻（數百千赫茲）開關，但它們不能用于非常高的電壓（>1000 V）。而IGBT雖然可以在高壓下使用，但其 "拖尾電流 "和緩慢的關斷使...
金剛石具有優良的光學性能，高質量 CVD 金剛石薄膜具有十分優良的光學性能，除 3~6 μm 范圍內的雙聲子區域存在晶格振動而產生的本征吸收峰外，在室溫下，從紫外至遠紅外甚至微波段，都有很高的透過性，理論透過率高達71.6%。...
MOS管開關電路在DC-DC電源、開關控制、電平轉換等電路中都有普遍的應用，今天就和大家一起學習一下MOS管柵極驅動的設計注意事項。...
在上篇《活學活用 LTspice 進行電路設計 — 簡單五步繪制正確電路圖》中，我們分享了只用簡單五步繪制電路圖的方法，展示了如何通過讀取 JIG 電路來輕松模擬一個開關穩壓器。本文將介紹如何使用預先準備好的模擬文件進行 DC sweep 直流掃描分析。...
IGBT模塊中通常都會在陶瓷基板（DBC）上設有熱敏電阻（NTC或PTC，由于NTC較為常用，以下統稱NTC）用于溫度檢測，如圖1所示。在實際應用中，工程師最直接也是最常見的一個問題就是：我檢測到了NTC的溫度，那么IGBT真實的結溫是多少？或者是：IGBT芯片和NTC之間的溫差是多少？...
MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產生的。MOS管導通后都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。...
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