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提出了一種低壓低功耗的帶隙基準電壓源電路，設計基于0.5μm 2P3M BiCMOS Process，并使用了低壓共源共柵電流鏡結構減少了對電源電壓的依賴，消除了精度與余度之間的矛盾，并用HL50S-S3.1S.lib庫文件用 HSPICE 進行了仿真，其電源抑制比PSRR 大約為-78.9dB。
關鍵詞: 帶隙基準，PTAT，低壓共源共柵電流鏡, BiCMOS
芯片系統集成( system on chip ) 技術已經受到學術界及工業界廣泛關注. 隨著電路系統結構的進一步復雜化, 對模擬電路基本模塊,如A/D 、D/A 轉換器, 濾波器電路以及鎖相環等電路提出了更高精度及速度的要求. 由于帶隙基準電壓、電流源電路的輸出電壓及電流幾乎不受溫度和電源電壓變化的影響,這就使得片內集成的帶隙基準電壓、電流源電路成了模擬集成電路芯片中不可缺少的關鍵部件。
本文對基準源采用了溫度一級補償的方法。所謂溫度一級補償就是在溫度區域內選取一點，使得基準源的輸出在該點對溫度的導數為零。只要這一點的位子合適，就能獲得較小的溫度系數。并使用了與絕對溫度成正比（PTAT: proportional to absolute temperature）的電流來產生基準電壓。帶隙調節電路在本質上是雙級的，為了降低成本，能與CMOS工藝兼容，我們使用了0.5μm的BICMOS工藝。
關鍵詞: 帶隙基準，PTAT，低壓共源共柵電流鏡, BiCMOS
芯片系統集成( system on chip ) 技術已經受到學術界及工業界廣泛關注. 隨著電路系統結構的進一步復雜化, 對模擬電路基本模塊,如A/D 、D/A 轉換器, 濾波器電路以及鎖相環等電路提出了更高精度及速度的要求. 由于帶隙基準電壓、電流源電路的輸出電壓及電流幾乎不受溫度和電源電壓變化的影響,這就使得片內集成的帶隙基準電壓、電流源電路成了模擬集成電路芯片中不可缺少的關鍵部件。
本文對基準源采用了溫度一級補償的方法。所謂溫度一級補償就是在溫度區域內選取一點，使得基準源的輸出在該點對溫度的導數為零。只要這一點的位子合適，就能獲得較小的溫度系數。并使用了與絕對溫度成正比（PTAT: proportional to absolute temperature）的電流來產生基準電壓。帶隙調節電路在本質上是雙級的，為了降低成本，能與CMOS工藝兼容，我們使用了0.5μm的BICMOS工藝。
電壓源
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