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隨著高壓直流輸電迅猛發(fā)展，絕緣材料在直流電壓下表面電荷積聚現(xiàn)象嚴(yán)重威脅直流輸電系統(tǒng)的安全可靠運(yùn)行。為加快絕緣材料表面電荷的消散，采用大氣壓等離子體射流，以TEOS為前驅(qū)物，在環(huán)氧樹脂表面沉積Si0。薄膜。對(duì)改性前后材料表面化學(xué)組成、表面電導(dǎo)率、表面電荷特性、表面陷阱分布以及耐壓特性進(jìn)行多參數(shù)測(cè)量，研究等離子體射流改性前后環(huán)氧樹脂表面特性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：等離子體處理在環(huán)氧樹脂表面引入大量以Si-O-Si及Si-OH基團(tuán)為主的無機(jī)基團(tuán)，且表面電導(dǎo)率提高2個(gè)數(shù)量級(jí)。隨著改性時(shí)間的延長(zhǎng)，表面電荷的初始積聚量減少，消散速度加快，陷阱能級(jí)深度變淺；沿面閃絡(luò)電壓呈現(xiàn)先增后降的趨勢(shì)，在改性180s時(shí)閃絡(luò)電壓提高到最高值9.OkV。研究結(jié)果表明：通過大氣壓等離子體射流在聚合物表面沉積薄膜能夠提高環(huán)氧樹脂絕緣性能，為其工程應(yīng)用提供了有效的改性方法。
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