從下一代的國防和航天應(yīng)用，到有線電視、VSAT、點對點（PtP）、基站基礎(chǔ)設(shè)施，Qorvo的GaN（氮化鎵）產(chǎn)品和技術(shù)為您身邊的各種系統(tǒng)提供領(lǐng)先的 性能支持，讓您能夠隨時聯(lián)網(wǎng)并受到保護。這些領(lǐng)先性能包括：高功率密度、寬頻性能、高功率處理……閱讀下面的“氮化鎵的十個重要事實”，真正了解這個在我 們的工作和生活中發(fā)揮重要作用的關(guān)鍵技術(shù)。
　　關(guān)于氮化鎵的十個重要事實：
　　一、氮化鎵器件提供的功率密度比砷化鎵器件高十倍。由于氮化鎵器件的功率密度較高，因此可以提供更大的帶寬、更高的放大器增益，并且由于器件尺寸的減少，還可提高效率。
　　二、氮化鎵場效應(yīng)管器件的工作電壓比同類砷化鎵器件高五倍。由于氮化鎵場效應(yīng)管器件可在更高電壓下工作，因此在窄帶放大器設(shè)計上，設(shè)計人員可以更加方便地實施阻抗匹配。所謂 “阻抗匹配”，是指在負載的輸入阻抗設(shè)計上，使得從器件到負載的功率傳輸最大化。
　　三、氮化鎵場效應(yīng)管器件提供的電流比砷化鎵場效應(yīng)管高二倍。由于氮化鎵場效應(yīng)管器件提供的電流比砷化鎵場效應(yīng)器件高二倍，因此氮化鎵場效應(yīng)器件的本征帶寬能力更高。
　　四、氮化鎵在器件層面的熱通量比太陽表面的熱通量還要高五倍！ “熱通量” 是單位面積的熱量輸送率。由于氮化鎵是高功率密度器件，因此它在非常狹小的空間內(nèi)散發(fā)熱量，形成高熱通量。這也是氮化鎵器件的熱設(shè)計如此重要的原因。
　　五、碳化硅的導(dǎo)熱性是砷化鎵的六倍，是硅的三倍。碳化硅具有高導(dǎo)熱性，這使它成為高功率密度射頻應(yīng)用的首選襯底。
　　六、氮化鎵的化學(xué)鍵強度是砷化鎵化學(xué)鍵的三倍。因此，氮化鎵的能隙更大，能夠支持更高的電場和更高的工作電壓。
　　七、氮化鎵—氮化鋁鎵結(jié)構(gòu)的壓電性是砷化鎵—砷化鋁鎵結(jié)構(gòu)的五倍。我們知道壓電性在氮化鎵中很重要。由于氮化鎵—氮化鋁鎵結(jié)構(gòu)具有較高的壓電性，因此電氣和物理屬性之間是相關(guān)的。
　　八、碳化硅基氮化鎵材料的晶格錯位密度約為砷化鎵的10，000倍。因此，與同類砷化鎵器件相比，柵極電流往往較高，需要電路設(shè)計人員的額外注意。
　　九、氮化鎵—氮化鋁的應(yīng)力是砷化鎵—砷化鋁的20 倍。由于氮化鎵—氮化鋁的應(yīng)變性高于同類砷化鎵—砷化鋁系統(tǒng)，因此所有層面進行應(yīng)力分析很重要。
　　十、TriQuint 的氮化鎵器件在200 攝氏度下工作100 萬小時，失效率低于0.002%。
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