資料介紹
從智能手機(jī)到服務(wù)器場,幾乎每種電子器件都采用某種形式的 RAW 存儲器。盡管閃存 NAND 因在各種消費(fèi)電子中盛行而持續(xù)增長,但 SDRAM 仍是大多數(shù)計算機(jī)及基于計算機(jī)的產(chǎn)品采用的主要存儲器技術(shù),其以每個比特相對較低的成本,提供了優(yōu)秀的速度和存儲容量組合。DDR或雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM已經(jīng)成為當(dāng)前首選的存儲器技術(shù),隨著各個公司努力提高速度和容量,同時降低成本、能耗預(yù)算及存儲器設(shè)備的物理尺寸,這一技術(shù)也在不斷演進(jìn)。
信號接入和探測
在存儲器驗(yàn)證要克服的第一批障礙中,其中一個障礙是接入和采集必要信號的問題。JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定應(yīng)在存儲器器件的BGA球輸出上進(jìn)行測量。FBGA器件包括一個用于特定用途、不能接入的焊球連接陣列,那么怎樣才能實(shí)現(xiàn)這種測量呢?
一個解決方案是在PCB布線過程中進(jìn)行測試設(shè)計,在存儲器器件下面直接包括通路,這些通路可以在電路板背面探測。盡管這些測試點(diǎn)并不是嚴(yán)格地“位于器件球輸出上”,但在實(shí)踐中,通過PCB的軌跡長度一般足夠短,信號劣化影響非常小。在使用這種方法時,信號完整性通常相當(dāng)好,能夠以可接受的測試余量執(zhí)行電接口驗(yàn)證。
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