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使用鐵電存儲(chǔ)器增強(qiáng)汽車應(yīng)用的可靠性

2512823 2022-11-25 | pdf | 313.26KB | 次下載 | 免費(fèi)

資料介紹

非易失性存儲(chǔ)器 (NVM) 在幾乎每個(gè)嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中都起著關(guān)鍵作用，但許多設(shè)計(jì)在數(shù)據(jù)寫入和訪問(wèn)速度、數(shù)據(jù)保留和低功耗方面對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的要求越來(lái)越嚴(yán)格。在汽車應(yīng)用中，這種情況越來(lái)越多，設(shè)計(jì)人員希望構(gòu)建更高級(jí)的功能，例如關(guān)鍵任務(wù)的高級(jí)駕駛員輔助系統(tǒng) (ADAS)。非易失性存儲(chǔ)器 (NVM) 在幾乎每個(gè)嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中都起著關(guān)鍵作用，但許多設(shè)計(jì)在數(shù)據(jù)寫入和訪問(wèn)速度、數(shù)據(jù)保留和低功耗方面對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的要求越來(lái)越嚴(yán)格。在汽車應(yīng)用中，這種情況越來(lái)越多，設(shè)計(jì)人員希望構(gòu)建更高級(jí)的功能，例如關(guān)鍵任務(wù)的高級(jí)駕駛員輔助系統(tǒng) (ADAS)。為確保這些系統(tǒng)安全可靠地運(yùn)行，設(shè)計(jì)人員需要仔細(xì)研究高級(jí)鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM) 作為低功耗汽車級(jí) NVM 選項(xiàng)，它比當(dāng)前 NVM 解決方案可靠、低功耗且速度更快.為確保這些系統(tǒng)安全可靠地運(yùn)行，設(shè)計(jì)人員需要仔細(xì)研究高級(jí)鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM) 作為低功耗汽車級(jí) NVM 選項(xiàng)，它比當(dāng)前 NVM 解決方案可靠、低功耗且速度更快.本文討論了 F-RAM 技術(shù)的主要特性，并描述了開(kāi)發(fā)人員如何使用 Cypress Semiconductor 的兩種 F-RAM 解決方案來(lái)增強(qiáng) ADAS 的可靠性，并將 ADAS 用作 F-RAM 在其他關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用中的代理。本文討論了 F-RAM 技術(shù)的主要特性，并描述了開(kāi)發(fā)人員如何使用 Cypress Semiconductor 的兩種 F-RAM 解決方案來(lái)增強(qiáng) ADAS 的可靠性，并將 ADAS 用作 F-RAM 在其他關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用中的代理。汽車 NVM 要求汽車 NVM 要求汽車安全應(yīng)用體現(xiàn)了集成具有更高分辨率和更快更新速率的更先進(jìn)傳感器的行業(yè)趨勢(shì)。ADAS、電子控制單元 (ECU) 和事件數(shù)據(jù)記錄器 (EDR) 等汽車子系統(tǒng)不斷發(fā)展，依賴于從各種傳感器收集的深度數(shù)據(jù)池。任何數(shù)據(jù)丟失甚至數(shù)據(jù)訪問(wèn)緩慢都會(huì)危及系統(tǒng)安全、車輛及其乘客。汽車安全應(yīng)用體現(xiàn)了集成具有更高分辨率和更快更新速率的更先進(jìn)傳感器的行業(yè)趨勢(shì)。ADAS、電子控制單元 (ECU) 和事件數(shù)據(jù)記錄器 (EDR) 等汽車子系統(tǒng)不斷發(fā)展，依賴于從各種傳感器收集的深度數(shù)據(jù)池。任何數(shù)據(jù)丟失甚至數(shù)據(jù)訪問(wèn)緩慢都會(huì)危及系統(tǒng)安全、車輛及其乘客。例如，在 ADAS 設(shè)計(jì)中，寫入電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器 (EEPROM) 所需的時(shí)間可能會(huì)給旨在避免感知危險(xiǎn)的自動(dòng)操作帶來(lái)潛在的災(zāi)難性滯后。在 EDR 設(shè)計(jì)中，如果在車輛事故期間發(fā)生電源故障，寫入性能緩慢會(huì)導(dǎo)致關(guān)鍵傳感器數(shù)據(jù)丟失，這可能會(huì)消除了解事故根本原因所需的數(shù)據(jù)。例如，在 ADAS 設(shè)計(jì)中，寫入電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器 (EEPROM) 所需的時(shí)間可能會(huì)給旨在避免感知危險(xiǎn)的自動(dòng)操作帶來(lái)潛在的災(zāi)難性滯后。在 EDR 設(shè)計(jì)中，如果在車輛事故期間發(fā)生電源故障，寫入性能緩慢會(huì)導(dǎo)致關(guān)鍵傳感器數(shù)據(jù)丟失，這可能會(huì)消除了解事故根本原因所需的數(shù)據(jù)。F-RAM NVM 特性F-RAM NVM 特性采用 F-RAM 技術(shù)構(gòu)建的存儲(chǔ)設(shè)備提供了一種有效的 NVM 替代方案，可以滿足對(duì)可靠數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和高速訪問(wèn)日益增長(zhǎng)的需求和性能要求。這些器件由鋯鈦酸鉛 (Pb[Zr 采用 F-RAM 技術(shù)構(gòu)建的存儲(chǔ)設(shè)備提供了一種有效的 NVM 替代方案，可以滿足對(duì)可靠數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和高速訪問(wèn)日益增長(zhǎng)的需求和性能要求。這些器件由鋯鈦酸鉛 (Pb[Zr xx Ti Ti 1?x1?x ]O ]O 3