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介紹介紹靜電放電 (ESD) 事件向集成電路 (IC) 發送具有潛在破壞性的能量脈沖。設計良好的 IC 具有保護電路來處理在將 IC 組裝到應用電路時可能發生的 ESD。IC 還必須處理組裝后穿透靜電屏蔽進入最終電路的 ESD 能量。除了機械屏蔽外,電源去耦電容器還可以幫助處理 ESD;但是,電容器選擇不當會使 IC 更易損壞。為正確保護集成電路免受未屏蔽 ESD 的影響,應考慮以下問題。靜電放電 (ESD) 事件向集成電路 (IC) 發送具有潛在破壞性的能量脈沖。設計良好的 IC 具有保護電路來處理在將 IC 組裝到應用電路時可能發生的 ESD。IC 還必須處理組裝后穿透靜電屏蔽進入最終電路的 ESD 能量。除了機械屏蔽外,電源去耦電容器還可以幫助處理 ESD;但是,電容器選擇不當會使 IC 更易損壞。為正確保護集成電路免受未屏蔽 ESD 的影響,應考慮以下問題。將 ESD 轉移到 IC 的交付模型將 ESD 轉移到 IC 的交付模型IC內部的ESD保護IC內部的ESD保護應用電路與 IC 內部 ESD 保護之間的相互作用應用電路與 IC 內部 ESD 保護之間的相互作用修改應用電路,提高IC的ESD防護能力修改應用電路,提高IC的ESD防護能力ESD 交付模型ESD 交付模型靜電放電水平用電壓來描述。該電壓由存儲在電容器上的電荷轉移到 IC 產生。IC 上的電壓和電流應力是由 IC 和 ESD 源之間的阻抗關系產生的。ESD 測試儀是根據預期的電荷源建模的。靜電放電水平用電壓來描述。該電壓由存儲在電容器上的電荷轉移到 IC 產生。IC 上的電壓和電流應力是由 IC 和 ESD 源之間的阻抗關系產生的。ESD 測試儀是根據預期的電荷源建模的。ESD 測試通常使用兩種帶電物體模型(ESD 測試通常使用兩種帶電物體模型(圖 1圖 1)。人體模型 (HBM) 表示存儲在人體(100pF 電容器)上并通過皮膚(1.5kΩ 電阻器)放電的電荷。機器模型 (MM) 表示存儲在金屬物體上的電荷。MM 中的放電僅受互連電感限制。)。
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