資料介紹
由于它們較高的開關速度和更加簡便的驅動特性,MOSFET已經取代了很多應用與功率級中的雙極性結型晶體管 (BJT)。然而,對于基于反激式的低功率AC/DC充電器等應用,相對MOSFET,BJT具有某些明顯的優勢。
由于它們不同的器件結構,高壓BJT的制造成本要低于高壓MOSFET。正因如此,額定電壓在1kV或者以上的BJT的價格要低于通用輸入離線反激式轉換器中常見的600V或650V MOSFET。
優勢是顯而易見的。由于BJT具有較高的電壓額定值,泄露尖峰會高出幾百伏特,不過仍然處于所要求的開關降額設計范圍內。根據尖峰的幅度不同,常常有可能在不使開關過壓的情況下完全移除緩沖器。
移除緩沖器
優點:
減少了物料清單 (BOM) 上的組件數量,從而實現一個更小、成本有效性更高的解決方案。更為重要的一點是,你可以移除緩沖器二極管,而這通常是一個600V的部件…
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