對(duì) 5G 時(shí)代的電源設(shè)計(jì)工程師來說，新拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和新材料是必須要熟悉的，因?yàn)樘蓟琛?a href='http://www.3532n.com/tags/氮化鎵/' target='_blank' class='arckwlink_none'>氮化鎵等新材料器件出來的時(shí)間并不長(zhǎng)，每個(gè)廠商推出的器件特性都是不一樣的，不像硅器件特性大家都比較熟悉。因此，程文濤建議電源設(shè)計(jì)工程師，盡早熟悉新材料器件、高頻化設(shè)計(jì)，開拓設(shè)計(jì)思路，以適應(yīng)未來的電源設(shè)計(jì)工作。對(duì)于宏基站，在一次電源和二次電源的優(yōu)化方面，英飛凌的程文濤給出了一些建議?！霸谝淮坞娫捶矫?，我們看到一個(gè)很明顯的趨勢(shì)是要求高效率和高功率密度?，F(xiàn)在電源的效率要達(dá)到 97%，甚至 98%的工作效率。” 要達(dá)到這個(gè)效率目標(biāo)，程文濤認(rèn)為一是需要用到新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，他舉例說，ACDC 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)將會(huì)從有橋 PFC，逐漸過渡到無(wú)橋 PFC，甚至圖騰柱拓?fù)浣Y(jié)構(gòu);二是必須采用新的材料，包括現(xiàn)在熱門的碳化硅 MOSFET 和氮化鎵 MOSFET;三是高頻化，高頻化可以提高功率密度，減小尺寸;四是貼片封裝更受歡迎，SMD 封裝成為了主流。

　　對(duì) 5G 時(shí)代的電源設(shè)計(jì)工程師來說，新拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和新材料是必須要熟悉的，因?yàn)樘蓟?、氮化鎵等新材料器件出來的時(shí)間并不長(zhǎng)，每個(gè)廠商推出的器件特性都是不一樣的，不像硅器件特性大家都比較熟悉。因此，程文濤建議電源設(shè)計(jì)工程師，盡早熟悉新材料器件、高頻化設(shè)計(jì)，開拓設(shè)計(jì)思路，以適應(yīng)未來的電源設(shè)計(jì)工作。對(duì)于宏基站，在一次電源和二次電源的優(yōu)化方面，英飛凌的程文濤給出了一些建議。“在一次電源方面，我們看到一個(gè)很明顯的趨勢(shì)是要求高效率和高功率密度?，F(xiàn)在電源的效率要達(dá)到 97%，甚至 98%的工作效率?！?要達(dá)到這個(gè)效率目標(biāo)，程文濤認(rèn)為一是需要用到新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，他舉例說，ACDC 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)將會(huì)從有橋 PFC，逐漸過渡到無(wú)橋 PFC，甚至圖騰柱拓?fù)浣Y(jié)構(gòu);二是必須采用新的材料，包括現(xiàn)在熱門的碳化硅 MOSFET 和氮化鎵 MOSFET;三是高頻化，高頻化可以提高功率密度，減小尺寸;四是貼片封裝更受歡迎，SMD 封裝成為了主流。對(duì)于二次電源部分，新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)并不多，更主要的是使用新材料和高頻化器件。