微波器件薄膜化的主要技術難點的分析

2078771 2020-08-14 | pdf | 0.07 MB | 次下載 | 1積分

資料介紹

　　微波器件的薄膜化過程中會遇到很多的技術難點，本文以環形器薄膜化過程中遇到的技術難點為例來分析微波器件薄膜化過程中所遇到的共性與個性的技術難點。工作在微波波段（300～300000兆赫）的器件。它的電子產品都在向的小型化，集成化方向發展，元器件尺寸和重量已成為電子系統設計考慮的主要因素，微波器件薄膜化對電子產品小型化集成化意義重大，隨著單片（MMIC）技術和混合微波集成電路（HMIC）技術的發展，薄膜化微波集成電路較好地滿足了電子裝備在體積和重量方面的需求。薄膜區別于塊材的性質主要有以下方面： 1、薄膜材料的厚度很薄，很容易產生尺寸效應。 2、表面效應很顯著。 3、薄膜材料包含大量的表面晶粒間界和缺陷態，影響電子運輸。 4、薄膜與基片之間還會存在一定的相互作用，會影響薄膜與基片之間的粘附性以及內應力。環行器是一個多端口的無源器件，它的特性是使輸入信號依次環行傳輸，如圖1當輸入信號由1端輸入時，通過環行器將由2 端輸出，不會傳至3端。

　　環形器薄膜化過程中遇到的技術難點是：制備高質量薄膜和減小外加磁場。鐵氧體薄膜制備難。薄膜材料容易對環形器引入插入損耗，如何制備高質量的薄膜是當前薄膜化環形器急需解決的難點之一。常用薄膜制備主要方法有：磁控濺射，液相外延法，脈沖激光沉積（PLD，化學氣相沉積法。薄膜質量要求有要厚度均勻，缺陷少，表面粗糙度小，合適的磁性能。
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