在蜂窩手機和其他數字的、便攜式、無線通信設備中，有三個參數越來越重要。低功率消耗和輕型電池給設備帶來自由移動的權力，更高的前端接受靈敏度增加了接收距離，更高的前端線性度對可容許的動態范圍具有直接的影響。隨著π/4DQPSK和 8QAM這類非恒定能量調制方案的使用，上面三個參數的重要性越來越大。 SiGe （硅鍺）技術是最近的一項技術革新，能同時改善接收機的功耗、靈敏度和動態范圍。GST-3是新的基于硅鍺技術的高速 IC處理工藝，其特點是具有35GHz的特征頻率（fT）。下面的典型前端框圖（圖1）中給出了用硅鍺技術實現的混頻器和低噪聲放大器（LNA）可能達到的性能（1.9GHz）。

　　在下行鏈路中對噪聲系數的主要影響來自于LNA第一級晶體管輸入級產生的噪聲。噪聲系數（NF）是一個體現網絡性能的參數，用來將實際網絡中的噪聲與通過理想的無噪聲網絡后信號中的噪聲進行比較。具有功率增益G = POUT/PIN的放大器或其他網絡的噪聲因數（F）可以表示為：

　　我們只關心熱噪聲（也叫做約翰遜噪聲或白噪聲）和散粒噪聲（也叫做肖特基噪聲）。一個具體的雙極型晶體管高頻等效模型 （Giacoleto模型，參見圖2）會幫助我們理解這個噪聲是如何產生的。這個模型還告訴我們硅鍺技術是如何降低LNA前端噪聲系數的。

　　在一個溫度大于零（0°K）的導體內，電荷載體的隨機運動產生了隨機的噪聲電壓和電流。隨著導體溫度的升高這些電荷載體隨機運動的速度會加快，也就提高了噪聲電壓。晶體管基區寄生電阻（Rbb′）產生的熱噪聲為Vn（f） = 4kTRbb′，其中Vn（f）是電壓噪聲譜密度，單位是V2/Hz，k是玻爾茲曼常數（1.38×10-23 Joules/Kelvin），T是以開爾文為單位的絕對溫度（°C + 273°）。散粒噪聲是電荷載體的粒子特性的結果。半導體內流動的DC電流通常被認為在每一時刻都是恒定的，但是任何電流都是由一個個的電子和空穴的運動所形成的。只有這些電荷載體所產生的電流的時間平均值才可以看做是恒定的電流。電荷載體數量的任何波動都會在那個時刻產生隨機的電流，這就是散粒噪聲。