資料介紹
這些動態參數是相輔相成的,有很多的內在聯系,但大致可以分為四類:跨導,電容,電荷以及開關時間。對于高壓器件來說,其最高的開關頻率為100kHz,此時電容參數對它很重要。對于低壓器件來說,其最低的開關頻率為100kHz,此時電荷參數對它很重要。
1.電容:功率MOSFET的柵極附近和耗盡層中存在著大量寄生電容,這些電容的充電和放電特性,決定了功率MOSFET在開關過程中的開關延遲。
為了提高器件的頻率特性,就需要降低功率MOSFET的電容,但是降低電容參數的時候,導通電阻RDS(on)會隨之增大。在實際中用,我們使用Ciss,Coss和Crss三個參數來作為衡量功率MOSFET器件頻率特性的參數,它們并不是一個定值,而是隨著其外部施加給器件本身的電壓變化的(見圖6.2)。

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