資料介紹
特性
? 采樣速率:200 Msps
? fIN = 15 MHz且幅值為-1 dBFS時(shí)的信噪比(Signalto-Noise
Ratio, SNR):
- 200 Msps 時(shí)為 67.8 dBFS (典型值)
? fIN = 15 MHz 且幅值為 -1 dBFS 時(shí)的無雜散動(dòng)態(tài)范
圍 (Spurious-Free Dynamic Range, SFDR):
- 200 Msps 時(shí)為 96 dBc (典型值)
? 使用 LVDS 數(shù)字 I/O 時(shí)的功耗:
- 200 Msps 時(shí)為 348 mW
? 使用 CMOS 數(shù)字 I/O 時(shí)的功耗:
- 200 Msps 時(shí)為 306 mW,輸出時(shí)鐘 = 100 MHz
? 不使用數(shù)字 I/O 時(shí)的功耗:
- 200 Msps 時(shí)為 257 mW
? 節(jié)能模式:
- 待機(jī)期間功耗為 80 mW
- 關(guān)斷期間功耗為 33 mW
? 供電電壓:
- 數(shù)字部分:1.2V 和 1.8V
- 模擬部分:1.2V 和 1.8V
? 可選擇的滿量程輸入范圍:最高為 1.8 VP-P
? 模擬輸入帶寬:650 MHz
? 輸出接口:
- 并行 CMOS 和 DDR LVDS
? 輸出數(shù)據(jù)格式:
- 二進(jìn)制補(bǔ)碼或偏移二進(jìn)制
? 可選的輸出數(shù)據(jù)隨機(jī)數(shù)發(fā)生器

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