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LDMOS （Lateral Diffused MetalOxide Semiconductor Transistor，橫向擴散金屬氧化物半導體）以其高功率增益、高效率及低成本等優點，被廣泛應用于移動通信基站、雷達、導航等領域。射頻大功率LDMOS由于具有P、L波段以上的工作頻率和高的性價比，已成為3G手機基站射頻放大器的首選器件。
隨著IC集成度的提高及器件特征尺寸的減小，柵氧化層厚度越來越薄，其柵的耐壓能力顯著下降，擊穿電壓是射頻LDMOS器件可靠性的一個重要參數，它不僅決定了其輸出功率，它還決定了器件的耐壓能力，因此必須要采取措施以提高器件的擊穿電壓。
本文將在基本LDMOS的基礎上，通過器件結構的改進來提高LDMOS的抗擊穿能力。
1 LDMOS耐壓特性
如圖1所示，LDMOS最主要的結構特點是采用雙擴散技術，在同一窗口進行磷擴散，溝道長度由兩種擴散的橫向結深決定。LDMOS中產生的擊穿形式有柵絕緣層擊穿和漏源擊穿。
LDMOS高壓器件是多子導電器件，由于漂移區將漏區與溝道隔離，Vds絕大部分降落在漂移區上，基本上沒有溝道調制，所以當Vds增大時，輸出電阻不下降。并且柵電極和漏區不重迭，從而提高了漏源擊穿電壓。
影響LDMOS耐壓性能的因素很多，本文將從埋層、漂移區摻雜濃度、襯底摻雜濃度3方面進行分析各參數對其耐壓性能的影響。
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