1、 SYSCLK時鐘源有三個來源：HSI RC、HSE OSC、PLL 2、 MCO[2：0]可以提供4源不同的時鐘同步信號。 3、 GPIO口有兩個反向串聯的二極管用作鉗位二極管。 4、 ICode總線，DCode總線、系統總線、DMA總線、總線矩陣、AHB/APB橋 5、在使用一個外設之前，必須設置寄存器RCC_AHBENR來打開該外設的時鐘 6、 STM32復位有三種：系統復位、上電復位、備份區域復位。其中系統復位除了RCC_CSR中的復位標志和BKP中的數值不復位之外，其他的所有寄存器全部復位。觸發方式例如外部復位、看門狗復位、軟件復位等。 電源復位由于外部電源的上電/掉電復位或者待機模式返回。復位除了BKP中的寄存器值不動，其他全部復位； 備份區域復位的觸發源為軟件復位或者VDD和VBAT全部掉電時。 7、 （NestedVectored Interrupt Controller）NVIC嵌套向量中斷控制器，分為兩種：搶先式優先級（可嵌套）和中斷優先級（副優先級，不能嵌套）。 兩種優先級由4位二進制位決定。分配下來有十六種情況： 8、自動裝載寄存器和影子寄存器：前者相當于51當中的溢出設定數值。而影子寄存器顧名思義是影子，就是寄存器的另一分copy。 實際起作用的是影子寄存器，而程序員操縱的則是自動裝載寄存器。如果APPE位使能，表明自動裝載寄存器的值在下一次更新事件發生后才寫入新值。否則，寫入自動裝載寄存器的值會被立即更新到影子寄存器。 9、計數器的數值與輸出比較器相等時，翻轉輸出信號。 10、ARM公司只生產內核標準，不生產芯片。ST、TI這樣的公司從ARM公司那里購買內核，然后外加自己的總線結構、外設、存儲器、時鐘和復位、I/O后就組成了自己的芯片。 11、電容觸摸屏原理：通過充放電的曲線不同來檢測是否被按下。實際的實驗過程中，TPAD可以用一塊覆銅區域來替代，通過電容的充放電常數來確定是否按下。 12、OLED，即有機發光二極管，又稱為有機電激光顯示。下圖為OLED的GRAM與屏幕的對應表： PAGE2單獨列出來： 13、USART可以操縱SPI設備。不過最大頻率只有4.5MHz。 14、使用I/O口時應該注意的問題： 15、ADC的Vref 和Vdda與VSSA，Vref-一定要加高質量的濾波電容，切靠近單片機。 16、在STM32內部，FSMC的一端通過內部高速總線AHB連接到內核Cortex－M3，另一端則是面向擴展存儲器的外部總線。 內核對外部存儲器的訪問信號發送到AHB總線后，經過FSMC轉換為符合外部存儲器通信規約的信號，送到外部存儲器的相應引腳，實現內核與外部存儲器之間的數據交互。 17、FSMC中的DATASET和ADDSET的設置需要參看外部存儲器的時序圖來確定。 一般而言，DATASET指的是數據建立時間，也就是讀/寫信號開始到讀/寫信號停止（上升沿存儲數據）的持續時間。（一般來說寫比讀快！） 而ADDSET指的是地址建立時間，指的是片選之后到讀/寫操作之前的時間，這是針對SRAM來說的，如果操縱的是TFT，不存在地址線，所以此時的ADDSET就是讀/寫信號結束到RS電平的轉換時間。 18、 19、 20、FSMC的三個配置寄存器：FSMC_BCRx(片選控制配置)、FSMC_BTRx(片選時序)、FSMC_BWTRx(片選寫時序)。 21、RTC時鐘配置必須要用到BKP寄存器，BKP寄存器在單片機復位、電源復位、待機喚醒模式下是不會更改值的，他的供電由VDD供電，VDD被切斷后自動切換至外部的VBAT供電。 22、要修改BKP寄存器的值，必須取消其寫保護的標志。BKP寄存器在上電時自動寫保護。 23、Stm32有三種省電模式： 三種省電模式中，耗電量從上到下依次降低，待機模式的電流僅為2uA。 24、從待機模式中喚醒單片機等效于讓單片機復位，但是電源寄存器的值會有一個標志位指示單片機是被喚醒的，不是被復位的。 25、ADC的時鐘不要超過14MHz，否則轉換精度會下降。最大轉換速率為1MHz，即轉換周期為1us(14MHz,采樣周期為1.5個ADC時鐘) 26、Tcovn=采樣時間 12.5個周期。采樣時間盡量選長一點，這樣精度高一些，但是轉換速率下降，這也是有利必有弊。 27、 28、拿ARM7TDMI來說，T代表Thumb指令集，D是說支持JTAG調試(Debugging)，M意指快速乘法器，I則對應一個嵌入式ICE模塊。 29、MMU作為嵌入式處理器與應用處理器的分水嶺標志A具有內存管理單元的嵌入式處理器可以定位為應用處理器。