IGBT 是 MOSFET 和雙極晶體管的復合器件。它既有 MOSFET 易驅動的特點，又具有功率晶體管高電壓、電流大等優點。其特性發揮出 MOSFET 和功率晶體管各自的優點，正常情況下可工作于幾十 kHz 的頻率范圍內，故在較高頻率應用范圍中，其中中、大功率應用占據了主導地位。

　　IGBT 是電壓控制型器件，在它的柵極發射極之間施加十幾 V 的直流電壓，只有 μA 級的電流流過，基本上不消耗功率。但 IGBT 的柵極發射極之間存在較大的寄生電容（幾千至上萬 pF），在驅動脈沖的上升和下降沿需要提供數 A 級的充放電電流，才能滿足開通和關斷的動態要求，這使得它的驅動電路也必須輸出一定的峰值電流。

　　IGBT 作為一種大功率的復合器件，存在著過流時可能發生閉鎖現象而造成損壞的問題。在過流時如采取一定的速度封鎖柵極電壓，過高的電流變化會引起過電壓，需要采用軟關斷技術，因此掌握好 IGBT 的驅動和保護特性對于設計人員來說是十分必要的。

　　IGBT 的柵極通過氧化膜和發射極實現電隔離。由于氧化膜很薄，其擊穿電壓一般只能達到 20 到 30V，因此柵極擊穿是 IGBT 最常見的失效原因之一。在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過最大額定柵極電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極-集電極之間的電容耦合，也會產生使氧化膜損壞的振蕩電壓。為此，通常采用絞線來傳送驅動信號，以減小寄生電感。在柵極連線中串聯小電阻可以抑制振動電壓。

　　由于 IGBT 的柵極-發射極之間和柵極-集電極之間存在著分布電容，以及發射極驅動電路中存在著分布電感，這些分布參數的影響，使 IGBT 的實際驅動波形與理想驅動波形不完全相同，并且產生了不利于 IGBT 開通和關斷的因素。如圖 1 所示。

　　在 t0 時刻，柵極驅動電壓開始上升，此時影響柵極電壓上升斜率的主要因素只有 Rg和 Cge，柵極電壓上升較快。在 t1 時刻達到 IGBT 的柵極門檻值，集電極電流開始上升。從此時有兩個因素影響 Uge 波形偏離原來的軌跡。首先，發射極電路中的分布電感 Le上的感應電壓隨著集電極電流 Ic的增大而加大，從而削弱了柵極驅動電壓的上升，并且降低了柵極-發射極間的電壓上升率，減緩了集電極的電流增長。其次，另一個影響柵極驅動電路電壓的因素是柵極-集電極電容 Cgc的密勒效應。t2 時刻，集電極電流達到最大值，Uce迅速下降使柵極集電極電容 Cgc 開始放電，在驅動電路中增加了 Cgc 的容性電流，使得驅動電路內阻抗上的壓降增加，也削弱了柵極驅動電壓的進一步上升。顯然，柵極驅動電路的阻抗越低，這種效應越弱，此效應一直維持到 t3 時刻，Uce降到 IGBT 的飽和電壓為止。它的影響同樣減緩了 IGBT 的開通過程。在 t3 時刻后，Ic達到穩態值，影響柵極電壓 Uge的因素消失后，Uge以較快的上升率達到最大值。

　　從圖 1 的波形可以看出，由于 Le和 Cge的存在，在 IGBT 的實際運行中 Uge 減緩了許多，這種阻礙驅動電壓上升的效應，表現為對集電極電流上升及開通過程的阻礙。為了減緩此效應，應使 IGBT 模塊的 Le 和 Cgc和柵極驅動電路的內阻盡量的小，以獲得較快的開通速度。

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