ZVS即所謂零電壓開關(guān)（ZVS）/零電流開關(guān)（ZCS）技術(shù)，或稱軟開關(guān)技術(shù)，小功率軟開關(guān)電源效率可提高到80%~85%。接下來將詳解介紹zvs原理及如何自制zvs的升壓電路圖以及它的操作步驟。

　　ZVS經(jīng)典原理：

　　1. 上電瞬間，電源電壓流經(jīng)R1，R2，經(jīng)過ZD1，ZD2穩(wěn)壓二極管鉗位在12V后分別送入MOS1，MOS2的GS極，因此兩個MOS管同時開通。

　　2. 因為元件參數(shù)的離散性（例如：MOS管GS鉗位電壓的離散性、MOS管本身跨導(dǎo)參數(shù)的離散性、變壓器初級繞組不嚴(yán)格對稱、走線長度差異等），導(dǎo)致兩管DS電流在上電瞬間就不相同。假設(shè)下方的MOS管MOS2流過的電流稍大。即IL3》IL2。因為L2，L3是在同一磁芯上繞制，本身存在磁耦合，所以，對磁芯的勵磁電流為IL2，IL3之和。之前提到IL3》IL2，而且從抽頭看去，IL2，IL3的電流方向相反，所以對磁芯的勵磁電流為Ip1=IL3-IL2。這樣就可以等效為僅有L3線圈產(chǎn)生勵磁作用（有一部分抵消掉L2的勵磁）。明白這點以后，繼續(xù)往下分析。

　　3. 見圖1，在上電瞬間，L2，L3中的等效勵磁電流Ip1用紅色線條表示，因為具有相同的磁路，Ip1將在L2上產(chǎn)生一個互感電流，圖中用藍(lán)色線條表示，L2+L3與C1構(gòu)成并聯(lián)諧振，這個互感電流的方向同IL2相反，如此正反饋造成的結(jié)果是IL2越來越小，最終可單純看做只有L3參與勵磁。

　　4. 與此同時，B點電壓升高，D1截止，C點電壓保持12V，MOS2繼續(xù)保持開通。因為MOS2開通時VDS很小，A點近似接地，D2導(dǎo)通，將D點電位強行拉低至0.7V左右，MOS1失去VGS而截止。

　　5. 隨著時間推移，L3對磁芯的勵磁最終達到磁飽和，大家注意，此時藍(lán)色線條的電流因磁芯飽和失去互感剛好減到0，MOS1的DS上電壓為零。而L3失去電感量而近似于一個僅幾mΩ的純電阻，瞬間大電流全部疊加在MOS2的導(dǎo)通電阻Ron上，使A點電位瞬間升高，D2截止，D點電位恢復(fù)至12V，MOS1獲得VGS而導(dǎo)通（在VDS=0的情況下導(dǎo)通，故稱ZVS）。繼而B點近似接地，C點電壓降到0.7V，MOS2截止，MOS1保持導(dǎo)通。當(dāng)L2勵磁達到飽和時電路狀態(tài)再次發(fā)生翻轉(zhuǎn)，重復(fù)第4過程。

　　6. 整個過程中，翻轉(zhuǎn)的時間由諧振電容C1的容量和L2+L3共同決定，因為有C1構(gòu)成諧振，初級電壓波形呈完美正弦波，諧波分量大大減小，漏感的影響不復(fù)存在，因此變比等于匝比。L1為扼流電感，利用電感電流的不可突變特性，保證磁飽和瞬間MOS管的DS極不會流過巨大浪涌而損壞。這也是為什么不接此電感或者感量太小時，電路空載電流會增大，而且MOS管發(fā)熱嚴(yán)重的原因。

　　因為利用了磁飽和原理，所以在磁芯工作在滯回線1，3象限的飽和臨界點之間，磁芯的儲能作用得以最大發(fā)揮，傳遞功率相當(dāng)大。

　　zvs升壓電路圖制作：