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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>模擬數(shù)字>IGBT保護(hù)分析

      IGBT保護(hù)分析

      2011-11-04 | rar | 570 KB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，因此，可以把其看作是MOS輸入的達(dá)林頓管。它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單和快速的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型器件容量大的優(yōu)點(diǎn)，因而，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。

      IGBT
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