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一．選擇題
1．雜質(zhì)半導(dǎo)體中的少數(shù)載流子濃度????? 本征載流子濃度。
? A．大于?? B.小于?? C.等于
2．若PN結(jié)兩側(cè)雜質(zhì)濃度高，則形成的PN結(jié)??? 。
? A．反向漏電流小，反向擊穿電壓低
? B. 反向漏電流小，反向擊穿電壓高
? C. 反向漏電流大，反向擊穿電壓高
3．在室溫下，對于摻雜濃度相同的P型和N型半導(dǎo)體?????? 。
? A．兩者導(dǎo)電能力相同
? B．P型半導(dǎo)體導(dǎo)電能力強(qiáng)
? C．N型半導(dǎo)體導(dǎo)電能力強(qiáng)
4．在N型半導(dǎo)體中???????? 。
? A．只有自由電子?? B．只有空穴?? C．有空穴也有自由電子
５．摻入五價(jià)雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體是 。
Ａ．Ｐ型半導(dǎo)體 Ｂ．Ｎ型半導(dǎo)體 Ｃ．本征半導(dǎo)體
６.如果測得一個(gè)放大電路中其三極管的直流電壓UCE＜１Ｖ，則它處于 。
Ａ．放大狀態(tài) Ｂ．飽和狀態(tài) Ｃ．截止?fàn)顟B(tài)
７.測得一放大電路中某三極管三個(gè)電極電位分別為①端 ＝２Ｖ，②端 ＝4.8V,③端 =1.3V,基極是????? 。
? A. ①端?????????????? B.②端??????????????? C.③端
1．雜質(zhì)半導(dǎo)體中的少數(shù)載流子濃度????? 本征載流子濃度。
? A．大于?? B.小于?? C.等于
2．若PN結(jié)兩側(cè)雜質(zhì)濃度高，則形成的PN結(jié)??? 。
? A．反向漏電流小，反向擊穿電壓低
? B. 反向漏電流小，反向擊穿電壓高
? C. 反向漏電流大，反向擊穿電壓高
3．在室溫下，對于摻雜濃度相同的P型和N型半導(dǎo)體?????? 。
? A．兩者導(dǎo)電能力相同
? B．P型半導(dǎo)體導(dǎo)電能力強(qiáng)
? C．N型半導(dǎo)體導(dǎo)電能力強(qiáng)
4．在N型半導(dǎo)體中???????? 。
? A．只有自由電子?? B．只有空穴?? C．有空穴也有自由電子
５．摻入五價(jià)雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體是 。
Ａ．Ｐ型半導(dǎo)體 Ｂ．Ｎ型半導(dǎo)體 Ｃ．本征半導(dǎo)體
６.如果測得一個(gè)放大電路中其三極管的直流電壓UCE＜１Ｖ，則它處于 。
Ａ．放大狀態(tài) Ｂ．飽和狀態(tài) Ｃ．截止?fàn)顟B(tài)
７.測得一放大電路中某三極管三個(gè)電極電位分別為①端 ＝２Ｖ，②端 ＝4.8V,③端 =1.3V,基極是????? 。
? A. ①端?????????????? B.②端??????????????? C.③端
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