半導體器件一直是沿著提高器件工作頻率和提高器件功率處理能力這兩個方向發展的。每一種器件在頻率和功率兼顧時都存在著某種限制。為了突破這種限制，人們不斷探索新的器件工作原理、新的器件結構，以不斷解決在提高器件頻率和功率過程中的矛盾。如晶閘管雖然其功率控制容量可以達到MW以上，但其工作頻率較低，一般限制在10kHz以內。為了突破這一限制，后來發展了大功率雙極型晶體管（GTR）。現在，達林頓大功率雙極型晶體管的功率控制容量雖比晶閘管低一個數量級（0.MW），但其工作頻率卻提高了兩個數量級（MHz），因此總的來看是前進了功率雙極型晶體管工作頻率要進一步提高，則受到其基區和集電區中少子存儲效應的限制。為了突破這一限制，人們在探素、開發多子功率器件—功率MOS器件。目前功率MOS器件的功率控制容量比功率雙極型晶體管約低一個數量級（約0.01MW），但其工作頻率卻提高了兩個數量級（約100MHz）。因此，從器件的頻率和功率兼顧來看，功率MOS器件的出現，使半導體器件的發展又前進了一步。

　　MS320x28xx和TMS320x28xx是C2000系列微控制器（MCU）的成員。這些設備面向嵌入式控制應用。為了便于編寫和高效地在這些設備上嵌入嵌入式C/C++代碼，德克薩斯儀器提供了用于訪問內存映射的外圍寄存器的硬件抽象層方法。這些方法是位域和寄存器文件結構方法，以及C2000外圍驅動程序庫方法。此應用程序報告解釋了這些硬件抽象層的實現，并將其與傳統的“定義宏”進行了比較。此外，還討論了代碼效率和特殊情況寄存器的問題。應用程序報告中討論的位字段和登記文件結構硬件抽象層已被實現為C2000 C++中的C/C++頭文件的集合。? 來自德州儀器：對所有新微控制器的支持可在C2000Ware的設備支持部分獲得。目前，它支持并是以下設備的首選方法：?Piccolo? 系列微控制器?德爾菲諾? 系列微控制器?F28M3x系列微控制器（C28x子系統）