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40-nm工藝要比以前包括65-nm節(jié)點和最近的45-nm節(jié)點在內的工藝技術有明顯優(yōu)勢。最引人注目的優(yōu)勢之一是其更高的集成度，半導體生產商可以在更小的物理空間中以更低的成本實現(xiàn)更強的功能。密度和性能的提高意義非常大，而當今系統(tǒng)開發(fā)人員面臨的最大設計問題之一是功耗。工藝技術在降低功耗上的措施已經發(fā)揮到極限。更小的尺寸有利于降低動態(tài)功耗( 更小的雜散電容)，但是也會增大待機功耗( 增加了漏電流)——如果不采取措施來降低它。Altera 認識到功耗帶來的問題，積極采取措施來降低有功功耗和待機功耗。本白皮書詳細介紹內核和I/O 的低功耗創(chuàng)新體系結構，以及Altera?Stratix? IV FPGA 實現(xiàn)低功耗、高性能和高密度所采用的工藝技術。和最相近的競爭FPGA 相比， Stratix IVFPGA 密度是其兩倍，快35％，而總功耗低50％。
引言
隨著工藝尺寸的減小，數字邏輯電路的漏電流成為當前FPGA 面臨的主要挑戰(zhàn)。靜態(tài)功耗增大的主要原因是各種漏電流源的增加。圖1 所示為隨著更小邏輯門長度( 綠色表示) 的技術實現(xiàn)，這些漏電流源( 藍色表示) 是怎樣隨之增加的。此外，如果不采取專門的功耗措施，由于較大的邏輯電容和較高的開關頻率也會導致動態(tài)功耗增大。
引言
隨著工藝尺寸的減小，數字邏輯電路的漏電流成為當前FPGA 面臨的主要挑戰(zhàn)。靜態(tài)功耗增大的主要原因是各種漏電流源的增加。圖1 所示為隨著更小邏輯門長度( 綠色表示) 的技術實現(xiàn)，這些漏電流源( 藍色表示) 是怎樣隨之增加的。此外，如果不采取專門的功耗措施，由于較大的邏輯電容和較高的開關頻率也會導致動態(tài)功耗增大。
功耗
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工商網監(jiān)
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