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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>IC datasheet pdf>MOSFET的主要參數(shù)理解和特點(diǎn)概述

      MOSFET的主要參數(shù)理解和特點(diǎn)概述

      2020-07-09 | zip | 0.36 MB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      　　下文主要介紹 mosfet 的主要參數(shù)，通過(guò)此參數(shù)來(lái)理解設(shè)計(jì)時(shí)候的考量一、場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多，一般 datasheet 都包含如下關(guān)鍵參數(shù)：

      　　1 極限參數(shù)：

      　　ID ：最大漏源電流。是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí)，漏源間所允許通過(guò)的最大電流。場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過(guò) ID 。此參數(shù)會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額。IDM ：最大脈沖漏源電流。此參數(shù)會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額。PD ：最大耗散功率。是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率。使用時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于 PDSM 并留有一定余量。此參數(shù)一般會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額。

      　　VGS ：最大柵源電壓。

      　　Tj ：最大工作結(jié)溫。通常為 150 ℃ 或 175 ℃ ，器件設(shè)計(jì)的工作條件下須確應(yīng)避免超過(guò)這個(gè)溫度，并留有一定裕量。

      　　TSTG ：存儲(chǔ)溫度范圍。

      MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管
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