本文檔的主要內容詳細介紹的是PIC32MZ系列32位單片機的數據手冊免費下載包括了：具有FPU/音頻/圖形接口、HS USB、以太網和高級模擬功能的32位MCU （最高2 MB實時更新閃存和512 KB SRAM）

　　在開始使用PIC32MZ EF系列32位單片機（MCU）進行開發之前，需要注意最低限度的器件引腳連接要求。下面列出了必須始終連接的引腳名稱： ? 所有VDD和VSS引腳（見第2.2節“去耦電容”） ? 所有AVDD和AVSS引腳（無論是否使用ADC模塊）（見第2.2節“去耦電容”） ? MCLR引腳（見第2.3節“主復位（MCLR）引腳”） ? 用于在線串行編程（In-Circuit Serial Programming?，ICSP?）和調試目的的PGECx/ PGEDx引腳（見第2.4節“ICSP引腳”） ? OSC1 和 OSC2 引腳（使用外部振蕩源時）（見第2.7節“外部振蕩器引腳”）此外，還可能需要連接以下引腳：使用ADC 模塊的外部參考電壓時使用的VREF+/ VREF-引腳。

　　去耦電容

　　需要在電源引腳（例如VDD、VSS、AVDD和AVSS）上使用去耦電容。請參見圖2-1。使用去耦電容時，需要考慮以下標準： ? 電 容 的類型和電容值： 推 薦 的 電 容值為 0.1 μF （100 nF），10-20V。電 容 應為低等效串聯阻抗（低ESR）電容，其諧振頻率應達到20 MHz 或更高。建議使用陶瓷電容。 ? 在印刷電路板上的放置：去耦電容應盡可能靠近引腳。建議將電容放在電路板上器件所在的一側。如果空間有限，可使用過孔將電容放到PCB的另一側上；但是，需要確保從引腳到電容的走線長度在四分之一英寸（6 mm）內。 ? 處理高頻噪聲：如果電路板會受到超過數十兆赫茲的高頻噪聲影響，應為上述去耦電容并聯一個陶瓷電容。第二個電容的容值可在0.001 μF至0.01 μF之間。請將第二個電容放置在靠近主去耦電容的位置。在高速電路設計中，需要考慮盡可能靠近電源和接地引腳放置這一對電容。例如，0.1 μF電容與0.001 μF電容并聯。 ? 最大程度提高性能：對于從電源電路開始的電路板布線，需要將電源和返回走線先連接到去耦電容，然后再與器件引腳連接。這可以確保去耦電容是電源鏈中的第一個元件。同等重要的是盡可能減小電容和電源引腳之間的走線長度，從而降低PCB走線上的電感。