STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE性能線系列采用高性能Arm?Cortex?-M3 32位RISC內(nèi)核，高速嵌入式內(nèi)存（閃存高達512 KB，SRAM高達64 KB），以及連接到兩個APB的大量增強I/O和外圍設(shè)備公共汽車。所有設(shè)備都提供三個12位ADC、四個通用16位定時器和兩個PWM定時器，以及標準和高級通信接口：最多兩個I2C、三個SPI、兩個I2S、一個SDIO、五個USART、一個USB和一個CAN。STM32F103xC/D/E高密度性能線系列在-40到+105°C的溫度范圍內(nèi)工作，從2.0到3.6 V電源。一套全面的節(jié)能模式允許設(shè)計低功耗應(yīng)用程序。f1s/xc系列高密度的應(yīng)用，如便攜式打印機、便攜式打印機、便攜式打印機等視頻對講機和暖通空調(diào)。

　　STM32F103xC/D/E高密度性能線系列提供六種不同封裝類型的設(shè)備：從64引腳到144引腳。根據(jù)所選設(shè)備的不同，包括不同的外圍設(shè)備集，下面的描述給出了該系列中建議的所有外圍設(shè)備的概述

　　STM32F103xC/D/E是一個完整的系列，其成員完全是針對針、軟件和功能兼容的。在參考手冊中，STM32F103x4和STM32F103x6被標識為低密度器件，STM32F103x8和STM32F103xB被稱為中密度器件，而STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE被稱為高密度器件。低密度和高密度設(shè)備是STM32F103x8/B中密度設(shè)備的擴展，它們分別在STM32F103x4/6和STM32F103xC/D/E數(shù)據(jù)表中指定。低密度設(shè)備具有更低的閃存和RAM容量、更少的定時器和外圍設(shè)備。高密度設(shè)備具有更高的閃存和RAM容量，以及更多的外圍設(shè)備，如SDIO、FSMC、I2S和DAC，同時保持與家族其他成員的完全兼容。STM32F103x4、STM32F103x6、STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE是STM32F103x8/B設(shè)備的一個替代品，允許用戶嘗試不同的內(nèi)存密度，并在開發(fā)周期中提供更大的自由度。此外，STM32F103xx性能線系列完全兼容所有現(xiàn)有的STM32F101xx接入線和STM32F102xx USB接入線設(shè)備。