資料介紹
考慮高功率半導體激光器列陣在封裝過程中引入的封裝應變會影響激光器的功率、波長和 可 靠 性,對 激 光 器 封 裝應變的測量進行了研究。基于激光器輸出光的偏振度變化可反映激光器有源區(qū)中量子阱的帶隙變化,采用電致發(fā)光譜法推導了高功率半導體激光器輸出的偏振度值與有源區(qū)應變值的關系。對800nm GaAsP/GaInP高功率半導體激光器列陣有源區(qū)的應變進行了測量,測量結果與有限元模擬計算結果吻合較好。與理論計算出的有源區(qū)固有應變的對比結果顯示,激光器芯片在封裝過程中受到銅熱沉的壓縮,會將封裝應變引入到有源區(qū)中,并且激光器中間的封裝應變大于邊緣的封裝應變。另外,激光器有源區(qū)的應變起伏比較明顯,認為這是由于采用電鍍方法制備的銦焊接層中存在缺陷。測量得到的最大封裝應變?yōu)椋保常罚啊粒保埃常毕菝芏葹椋矗埃福ァ5玫降慕Y果表明,激光器偏振度的測量能夠正確反映激光器的缺陷和封裝應變值,進而可以有效衡量激光器封裝質量的好壞。

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