本文介紹了功率電力開關器件的發展歷程、開關器件的原理及特性。分析了其在電子裝置中的應用，并對未來功率電子開關器件的發展提出展望。

　　功率電力開關器件是電子技術的基礎，也是電子技術發展的平臺。1958年美國通用電氣（ce）公司研制出第一個工業用普通晶閘管（scr），它標志著功率電子開關技術的誕生。宣告了人類在電能變換和控制方面從旋轉的交流機組和靜止的離子變流器進入了由電子開關構成新型變流器時代。半導體業經過近半個世紀的研發至今已有四代功率電子開關產品問世。第一代功率電子開關產品主要是普通晶閘管及派生系列。第二代功率電子開關器件主要有功率三極管（gtr）、可關斷晶閘管（gto）、功率場效應管（mosfet）、絕緣門雙極型晶體管（igbt）、mos控制晶閘管（mct）和高壓集成電路等。第三代功率電子開關器件是智能化產品。目前已有智能化絕緣門極雙極型晶體管，稱智能igbt。第四代為溝槽柵結構的igbt，目前已在試驗中。有望在短的時間內有系列產品出現。 半控制型功率電子開關器件 半控制型功率電子開關器件主要有普通晶閘管及其派生器件。普通晶閘管具有可控的單向導電性，即不但具有一般二極管的單向導電的整流作用，而且還可以對導通電流進行控制。單向晶閘管是pnpn四層結構，形成三個pn結，具有三個外電極。可等效為pnp、npn兩個晶體管組成的復合管。目前的制造容量為：12kv/1ka和6.5kv/4ka。 光控晶閘管是通過光信號控制晶閘管觸發導通的器件，它具有很強的抗干擾能力、良好的高壓絕緣性能和較高的瞬時過電壓承受能力，因而被廣泛地應用于高壓直流輸電（hvdc）、靜止無功補償（svc）等領域。目前容量水平為8kv/3.6ka。 非對稱晶閘管是一種正、反相電壓耐量不對稱的晶閘管，而逆導晶閘管是非對稱晶閘管的一種特例，是將晶閘管反并聯一個二極管制作在同一管芯上的功率集成器件。于普通晶閘管相比，它具有關斷時間短、正相壓降小、額定結溫高、高溫特性好等優點。主要運用于逆變器和整流器中。目前的容量制造水平3kv/0.9ka。