說起開關電源，可謂電子信息社會不可或缺的電源方式之一：小到手機充電器、LED照明燈、家電，大到電力設備、通信基站、數據中心，幾乎所有的電子設備都離不開它。對于電源工程師而言，功率密度、效率和可靠性是定義開關電源性能的3個關鍵因素。如何一次 “加滿”開關電源的技能點呢？2020英飛凌電源與傳感系統云端大會，邀你體驗一場硬核的開關電源技術公開課！ 高性能開關電源設計訣竅 英飛凌是目前 市場上唯一一家提供覆蓋Si、SiC和GaN等材料的全系列功率產品的公司 ，英飛凌廣博的CoolGaN?、CoolSiC? 和 CoolMOS? 等功率半導體產品組合，適用于各類大、小功率的開關電源應用。 想知道Si、SiC和GaN這三類功率器件的相關技術詳細信息，以及如何基于器件自身的特性來選擇合適的應用拓撲？在確定拓撲之后，如何實現功率密度和效率之前的優化？這些硬核的技術知識統統都有！此外，英飛凌資深專家還將介紹英飛凌對于CoolGaN? 和CoolSiC?的質量管控理念，從而助力使用者設計高可靠性的開關電源。 值得一提的是， GaN HEMT作為大規模商用的“新”產品，僅僅是其技術藍圖的開端 ，因為當前的器件性能數值與理論限值還有一個數量級的差距，未來仍有巨大的改進空間。目前，GaN HEMT在小功率、高功率密度的充電器應用已嶄露頭角，其市場需求呈現明顯的上升趨勢。但整體而言，GaN HEMT與超級結MOSFET的優缺點對比，可謂各占一半。筒子們想進一步了解在細分市場這兩者的區別，關注2020英飛凌電源與傳感系統云端大會，為你的開關電源設計找到創新思路！ 細分市場對更高功率密度的需求呈明顯上升趨勢 一次get到零電壓開通高效反激拓撲電源設計 手機快充在近幾年的發展勢頭十分迅猛，從早期的10W、15W，到最近一些大廠宣布量產的120W快充，高功率快充技術儼然成為了5G手機的標配。盡管各家手機廠商的協議不一，但USB-PD協議快充仍是普遍兼容、且持續升級迭代的標準。根據IHS的預測，USB-PD協議充電器從2018-2023年復合平均增長率為97.6%，且預計 在2023年USB-PD出貨量將占整個市場的52%以上。 目前， 快充電源廣泛使用反激拓撲 ，主要是因為它具有良好的寬輸入與寬輸出性能，能夠提高反激電源功率密度與效率。如何實現高功率密度的USB-PD電源？需要從以下幾個方面考量：? 高頻（140k-250kHz，近兩三年最佳工作頻率） 軟開關拓撲 平面變壓器 可調整的平率法則 ?較小的共模EMI噪聲