動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-11-17 17:02

  新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1400V，TO-247PLUS-4回流焊封裝

  

  新品第二代CoolSiCMOSFETG21400V,TO-247PLUS-4回流焊封裝采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiCMOSFETG21400V功率器件，是電動汽車充電、儲能系統(tǒng)、工業(yè)變頻器等大功率輸出應(yīng)用的理想選擇。第二代1400VCoolSiCMOSFET前沿技術(shù)具有前沿性，可顯著提升熱管理性能、功率密度及系統(tǒng)可靠性。其封裝支持回流

  MOSFET SiC 回流焊

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• 發(fā)布了文章 2025-11-12 17:02

  ANPC拓?fù)湔{(diào)制策略特點(diǎn)及損耗分析(下)

  

  上篇（ANPC拓?fù)湔{(diào)制策略特點(diǎn)及損耗分析(上)）我們討論了ANPC的基本原理，換流路徑及調(diào)制策略，本文通過PLECS仿真工具來分析在不同的調(diào)制方式和工況下ANPC各位置芯片的開關(guān)狀態(tài)和損耗分布情況。ANPC-PWM1設(shè)計(jì)實(shí)例由于不同特性和規(guī)格的芯片各自靜態(tài)和動態(tài)參數(shù)不同，使用相規(guī)格的芯片便于分析損耗分布，在這里選用Econodual3半橋模塊FF900R12

  ANPC PCS 芯片

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• 發(fā)布了文章 2025-11-07 13:21

  英飛凌攜手SolarEdge共同推進(jìn)AI數(shù)據(jù)中心高效電力基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展

  

  英飛凌攜手SolarEdge，推動面向人工智能（AI）及超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的新一代高效固態(tài)變壓器（SST）技術(shù)發(fā)展。全新的固態(tài)變壓器（SST）專為實(shí)現(xiàn)在中壓至800–1500伏直流電（DC）轉(zhuǎn)換而設(shè)計(jì)，其轉(zhuǎn)換效率超過99%，同時(shí)減小設(shè)備體積、降低重量，并有效減少了碳排放足跡。此次合作將SolarEdge在直流電（DC）領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)與英飛凌的半導(dǎo)體創(chuàng)新相結(jié)合，

  AI 電力 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-11-05 17:06

  ANPC拓?fù)湔{(diào)制策略特點(diǎn)及損耗分析 (上)

  

  ANPC（ActiveNeutralPointClamped）拓?fù)浼从性粗悬c(diǎn)鉗位技術(shù)，是基于NPC型三電平拓?fù)涓倪M(jìn)而來，最早提出是用來克服NPC三電平拓?fù)鋼p耗分布不均勻和中點(diǎn)電位問題。從結(jié)構(gòu)上看，ANPC是將NPC1的鉗位二極管替換為IGBT與二極管反并聯(lián)鉗位的結(jié)構(gòu)，與NPC1一樣可以實(shí)現(xiàn)三電平輸出以降低諧波，且器件耐壓和NPC1相同。通過增加兩個(gè)IGBT，

  ANPC 變流器 鉗位二極管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-03 18:18

  新品 | 第五代CoolGaN™ 650-700V氮化鎵功率晶體管G5

  

  新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實(shí)現(xiàn)高頻工況下的效率提升，并滿足最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，能夠打造具有超高效率的高可靠性設(shè)計(jì)。該系列GaN氮化鎵晶體管現(xiàn)新增底部散熱型ThinPAK8x8和DPAK封裝版本，專為各種工業(yè)與消費(fèi)類應(yīng)用中的最優(yōu)散熱性能而設(shè)計(jì)。產(chǎn)品型號：■IGD70R500D2■IGD7

  GaN 晶體管 氮化鎵

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• 發(fā)布了文章 2025-10-29 17:02

  英飛凌推出采用全新 EasyPACK™ C 封裝的碳化硅功率模塊，助力提升工業(yè)應(yīng)用的能效與使用壽命

  

  【2025年10月29日,德國慕尼黑訊】工業(yè)領(lǐng)域中的快速直流電動汽車（EV）充電、兆瓦級充電、儲能系統(tǒng)，以及不間斷電源設(shè)備，往往需要在嚴(yán)苛環(huán)境條件與波動負(fù)載的運(yùn)行模式下工作。這些應(yīng)用對高能效、穩(wěn)定的功率循環(huán)能力以及較長的使用壽命有著極高的要求。為滿足這些需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFN

  工業(yè) 碳化硅 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-10-27 17:03

  英飛凌IPOSIM平臺加入基于SPICE的模型生成工具，助力提升系統(tǒng)級仿真精度

  

  【2025年10月27日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出的英飛凌功率仿真平臺（IPOSIM）被廣泛用于計(jì)算功率模塊、分立器件及盤式器件的損耗與熱特性。目前，該平臺已集成一款基于SPICE（電路仿真程序）的模型生成工具，可將外部電路和柵極驅(qū)動器選型納入系統(tǒng)級仿真。該工具通過充分考慮器件的非線性半導(dǎo)體物理特

  SPICE 仿真 模型 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-10-23 17:05

  IGBT模塊工作環(huán)境溫濕度條件解析

  

  在散熱器上安裝的IGBT模塊并非密封設(shè)計(jì)，盡管芯片上方有一層硅膠，但是水汽仍然可以通過外殼間隙以及硅膠進(jìn)入器件芯片內(nèi)部。因此，器件在使用和存儲過程中，必須避免濕氣或者腐蝕性氣體。目前大多數(shù)IGBT模塊允許工作的溫濕度以及氣候條件遵循IEC60721-3-3規(guī)定,為使客戶更加了解IGBT的使用環(huán)境條件，本文主要介紹溫度以及濕度運(yùn)行條件。IEC60721-3-3

  IGBT 散熱器

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• 發(fā)布了文章 2025-10-20 17:33

  新品 | 用于熱泵的帶變頻器的 Econo PFC

  

  新品用于熱泵的帶變頻器的EconoPFC首個(gè)集成了維也納PFC和壓縮機(jī)變頻器的熱泵應(yīng)用一體化模塊解決方案。采用最新的IGBT7芯片技術(shù)，采用成熟的Econo2封裝。產(chǎn)品型號：■FP35R12N2T7_B67產(chǎn)品特點(diǎn)TRENCHSTOPIGBT7技術(shù)集成維也納PFC和壓縮機(jī)變頻器一體化解決方案，使用方便，設(shè)計(jì)緊湊成熟的Econo2封裝應(yīng)用價(jià)值一體化解決方案，使

  PFC 壓縮機(jī) 變頻器

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• 發(fā)布了文章 2025-10-17 18:28

  英飛凌推出采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC™ MOSFET 1400V G2系列

  

  【2025年10月17日,德國慕尼黑訊】電動汽車充電、電池儲能系統(tǒng)，以及商用、工程和農(nóng)用車輛（CAV）等大功率應(yīng)用場景，正推動市場對更高系統(tǒng)級功率密度與效率的需求，以滿足日益提升的性能預(yù)期。同時(shí)，這些需求也帶來了新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，例如，如何在嚴(yán)苛環(huán)境條件下實(shí)現(xiàn)可靠運(yùn)行，在應(yīng)對瞬態(tài)過載時(shí)如何保持穩(wěn)定性，以及如何優(yōu)化整體系統(tǒng)性能。為應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)

  MOSFET 封裝 英飛凌

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