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• 發布了文章 2025-06-26 17:07

  TOLL和DFN封裝CoolGaN™ 650V G5第五代氮化鎵功率晶體管

  

  新品TOLL和DFN封裝CoolGaN650VG5第五代氮化鎵功率晶體管第五代CoolGaN650VG5氮化鎵功率晶體管可在高頻工況下顯著提升能效，符合業界最高質量標準，助力打造兼具超高效率與卓越可靠性的設計方案。該系列產品現已新增采用底部冷卻技術的TOLL和DFN封裝，其創新設計可降低各類工業及消費電子應用中的功率損耗。產品型號：■IGT65R025D2A

  DFN 功率晶體管 氮化鎵

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• 發布了文章 2025-06-24 17:04

  IPAC碳化硅直播季丨如何應用CoolSiC™ MOSFET設計高能效系統？

  

  碳化硅直播季首場直播收獲了過萬的觀看量，“打鐵需趁熱”，第一期話題直直戳中了可靠性這個核心戰場，第二期就必須得火力全開，好好嘮嘮怎么把碳化硅的優勢發揮到極致。7月2日14:00碳化硅直播季第二期，邀您一同解鎖未來能源科技的神秘密碼！光儲應用熱門賽道，眾多企業競相角逐。如何憑借碳化硅技術突出重圍，效率比拼的天花板到底有多高？EV充電樁真的是國產的天下嗎？Coo

  MOSFET 碳化硅 能效

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• 發布了文章 2025-06-23 17:36

  CoolSiC™ MOSFET G2如何正確選型

  

  之前兩篇文章我們分別介紹了CoolSiCMOSFETG2的產品特點及導通特性（參考閱讀：CoolSiCMOSFETGen2性能綜述，CoolSiCMOSFETG2導通特性解析），今天我們分析一下在軟開關和硬開關兩種場景下，如何進行CoolSiCMOSFETG2的選型。G2在硬開關拓撲中的應用除了RDS(on)，開關損耗在SiCMOSFET的選型中也扮演著非常

  MOSFET SiC 仿真電路

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• 發布了文章 2025-06-21 08:33

  多相電機的奇妙世界(1)：從三相到多相的跨越

  

  本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品，來自華中科技大學劉自程、王光宇、朱榮培、蔣棟、羅翔宇、包木建、朱梓豪等投稿。1從三相到多相的跨越——電機系統的技術進步之路交流電機，作為現代工業的“心臟”，已逐漸成為支撐國民經濟發展和國防重要裝備建設的關鍵與核心。在現代社會，大至國之重器的“上天入地”，小至日常生活的“衣食住行”，處處都能看見交流電機的身影。電機系

  交流電機 多相電機 電機系統

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• 發布了文章 2025-06-20 17:10

  招生通知｜第二期 IGBT模塊：技術、驅動和應用培訓班

  

  對于每一位從事電力電子技術的工程師來說，功率半導體，包括二極管和三極管，雖然其基本功能看似簡單，但要真正掌握并駕馭其特性卻是一項極具挑戰性的工作。IGBT作為現代電力電子系統的核心元件，其性能直接影響到系統的效率和可靠性。然而，IGBT的高頻、高壓工作特性和對驅動電路的復雜要求，使得許多工程師在實際應用中面臨諸多挑戰：精確控制：IGBT的開關速度和損耗管理需

  IGBT 功率半導體

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• 發布了文章 2025-06-19 17:05

  新品 | 采用CoolSiC™ 400V SiC MOSFET的ANPC三電平虛擬評估板

  

  新品采用CoolSiC400VSiCMOSFET的ANPC三電平虛擬評估板該虛擬設計（提供設計文件，不提供實物產品）為3L-ANPC拓撲，是帶隔離的三相三電平逆變器板。優化的PCB布局最大限度地減少了換流回路電感，降低了開關損耗和電壓過沖。該設計是工程師和研究人員實驗、驗證和優化工業電機驅動器和光伏組串逆變器3L-ANPC系統的理想選擇。產品型號：■EVAL

  MOSFET SiC 評估板

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• 發布了文章 2025-06-18 17:49

  2025 OktoberTech™精彩回顧二： 新能源與工業應用大咖齊聚，共同奏響產業創新“交響曲”

  

  近日，英飛凌在上海舉辦的2025OktoberTech大中華區生態創新峰會在上海順利落下帷幕。來自新能源和工業應用領域的多位重磅級演講嘉賓分享主題演講，共同探討在中國速度及產業挑戰背景下，如何通過跨界合作培育本土創新生態體系，合力推動科技創新，促進產業的智能化、綠色化和融合化發展，攜手共創數字低碳未來。鄭大為先生伊頓電氣亞太區電能質量研發副總裁伊頓電氣亞太區

  工業 新能源 英飛凌

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• 發布了文章 2025-06-17 17:58

  2025 OktoberTech™精彩回顧一： CoolSiC™碳化硅新品發布， 性能指標領跑全行業

  

  近日，英飛凌在上海舉辦的2025OktoberTech大中華區生態創新峰會在上海順利落下帷幕。本次活動中，英飛凌推出多款CoolSiC碳化硅重磅新產品，憑借卓越的性能指標和創新封裝設計，繼續全面領跑半導體行業，為電力電子系統的高效、可靠運行提供了強有力的支

  SiC 碳化硅 英飛凌

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• 發布了文章 2025-06-16 17:34

  CoolSiC™ MOSFET G2導通特性解析

  

  上一篇我們介紹了英飛凌CoolSiCMOSFETG2的產品特性（參考文章：CoolSiCMOSFETG2性能綜述）。那么在實際應用中，G2如何進行正確的選型呢？接下來兩篇文章會和大家仔細探討這個問題。今天的文章將會主要聚集在G2的導通特性上。在MOSFET設計選型過程中，工程師往往會以MOSFET常溫下漏源極導通電阻RDS(on)作為第一評價要素。RDS(o

  MOSFET SiC 英飛凌

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• 發布了文章 2025-06-14 10:00

  探索吉他音色與效果器的奇妙世界（3）- 時延和哇音效果器

  

  本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品，來自上海科技大學李晨曦的投稿。時延類效果器如果失真類效果器是拿信號的幅值開刀，那么時延類效果器則是在信號的時域特性上做文章。根據原理的不同，可以將時延類效果器大致分為兩類，混響、延遲。1混響(Reverb)混響效果器旨在模擬大型音樂廳中的混響效果，混響效果器能夠為音頻信號增添情感和氛圍，使得聲音聽起來更加宏大、夢幻

  效果器 時延 電吉他

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