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蘋果發(fā)布結(jié)合OLED和QD-LED優(yōu)勢的新專利

XcgB_CINNO_Crea ? 來源:fqj ? 2019-05-08 15:23 ? 次閱讀
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CINNO Research 產(chǎn)業(yè)資訊,蘋果在一項(xiàng)新公布的專利申請中展示了一種將OLED和量子點(diǎn)LED集成在一起的“混合”顯示器,這也許反映了他們在相關(guān)領(lǐng)域降低功耗的愿望。

iphone X

這項(xiàng)美國專利申請(申請?zhí)?0,190,131,356)描述了一種具有OLED子像素和量子點(diǎn)子像素的“串聯(lián)混合像素”,這種混合像素除了發(fā)光層還有傳輸層和陰極等必要部分。

量子點(diǎn)是目前LCD顯示器用LED背光中包含的光致發(fā)光粒子,可以產(chǎn)生更明亮,更鮮艷的色彩,這些鮮艷的顏色和量子點(diǎn)的尺寸相關(guān)。雖然已經(jīng)用于目前的QLED電視,但在這項(xiàng)應(yīng)用中,該技術(shù)僅用于背光的增強(qiáng),而不是用作單個(gè)發(fā)光的像素。

理論上,蘋果提出的這種技術(shù)可以制作出比OLED更薄的顯示器,以及更簡化的制造工藝。真正的QD顯示器還具有高達(dá)1,000ppi的高像素密度,這是Retina顯示器所需像素密度的很多倍。另外,這種技術(shù)還可以大幅度降低現(xiàn)有OLED顯示器的響應(yīng)時(shí)間。這項(xiàng)專利申請作為補(bǔ)充,和之前版本不同的地方包括:

專利權(quán)利要求1:一種顯示器,包括:串聯(lián)混合像素,包括有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)子像素和量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QD-LED)子像素; OLED子像素和QD-LED子像素使用共同的空穴傳輸層;在QD-LED子像素和OLED子像素的公共空穴傳輸層上方設(shè)置共同的量子點(diǎn)層;在OLED子像素中的公共量子點(diǎn)層上方設(shè)置有半公共的電荷產(chǎn)生層;在QD-LED子像素中的公共量子點(diǎn)層上方設(shè)置有第一陰極;在 OLED子像素中的半公共電荷產(chǎn)生層上方設(shè)置有半公共空穴傳輸層;在 OLED子像素中的半公共空穴傳輸層上方設(shè)置有機(jī)發(fā)光層; 在OLED子像素中的有機(jī)發(fā)光層上方設(shè)置半公共電子傳輸層;在OLED子像素中的半公共電子傳輸層上方設(shè)置半公共第二陰極。

量子點(diǎn)技術(shù)

專利權(quán)利要求2:權(quán)利要求1所描述的顯示器,還包括:在QD-LED子像素和OLED子像素中的公共量子點(diǎn)層上方設(shè)置的,包含金屬氧化物納米顆粒的共同納米顆粒電子傳輸層。其中,權(quán)利要求1所述半公共電荷產(chǎn)生層位于此處OLED子像素對應(yīng)的共同納米粒子電子傳輸層上方,而權(quán)利要求1所述第一陰極則位于此處QD-LED子像素對應(yīng)的共同納米粒子電子傳輸層上方。

專利權(quán)利要求6:一種顯示器,包括:一種串聯(lián)混合像素,包括有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)子像素和量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QD-LED)子像素; OLED子像素和QD-LED子像素?fù)碛泄餐目昭▊鬏攲?在QD-LED子像素和OLED子像素的公共空穴傳輸層上方還設(shè)置有公共量子點(diǎn)層; 在OLED子像素和QD-LED子像素的公共量子點(diǎn)層上設(shè)置有公共電荷產(chǎn)生層;在OLED子像素和QD-LED子像素的公共電荷產(chǎn)生層上方設(shè)置有公共的空穴傳輸層; 在OLED子像素對應(yīng)的公共空穴傳輸層上方設(shè)置有機(jī)發(fā)光層;在OLED子像素和QD-LED子像素的公共空穴傳輸層上方設(shè)置公共電子傳輸層,該公共電子傳輸層另外也在OLED子像素的有機(jī)發(fā)光層上方;最后,OLED子像素和QD-LED子像素的公共電子傳輸層上設(shè)置有公共陰極。

專利權(quán)利要求7:權(quán)利要求6描述的顯示器,還包括:在QD-LED子像素和OLED子像素中的公共量子點(diǎn)層上方設(shè)置的,包含金屬氧化物納米顆粒的共同納米顆粒電子傳輸層。其中,公共電荷產(chǎn)生層位于OLED子像素和QD-LED子像素的公共納米顆粒電子傳輸層上方。

專利權(quán)利要求11:具有QD-LED和OLED串聯(lián)堆疊結(jié)構(gòu)的顯示器,包括:公共陽極;公共陽極上方的公共空穴傳輸層;公共空穴傳輸層上方的公共量子點(diǎn)層;公共量子點(diǎn)層上方的公共電荷產(chǎn)生層;公共電荷產(chǎn)生層上方的公共空穴傳輸層;公共空穴傳輸層上方的公共有機(jī)發(fā)射層;公共有機(jī)發(fā)射層上方的公共電子傳輸層;公共電子傳輸層上方的公共陰極。

蘋果發(fā)布結(jié)合OLED和QD-LED優(yōu)勢的新專利

蘋果在最新提交的這項(xiàng)專利申請中還指出,雖然OLED本身具有快速響應(yīng)和更低功耗等優(yōu)勢,但量子點(diǎn)LED(QD-LED)可能更高效。

這篇最新的專利最初是在2018年12月提交的,有多位發(fā)明人,他們當(dāng)時(shí)都在加利福尼亞州工作。最重要的可能是Jonathan Steckel,他在2014年加入蘋果公司,而之前則在QD Vision負(fù)責(zé)量子點(diǎn)工作,擔(dān)任“新興顯示技術(shù)開發(fā)的首席技術(shù)專家”。這個(gè)頭銜在2019年1月發(fā)生變化,隨后他轉(zhuǎn)移到法國格勒諾布爾的工廠,負(fù)責(zé)監(jiān)督“相機(jī)核心技術(shù)和顯示工程”。

該專利申請的早期版本于2017年8月發(fā)布,當(dāng)時(shí)蘋果還申請了幾項(xiàng)與量子點(diǎn)相關(guān)的其他專利,涉及MEMS快門控制和背光調(diào)光等概念。

考慮到這是一項(xiàng)專利申請,目前還不知道這種產(chǎn)品上市的時(shí)機(jī)。

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原文標(biāo)題:“混合”顯示器 | 蘋果發(fā)布結(jié)合OLED和QD-LED優(yōu)勢的新專利

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