【2026年4月1日,中國上海】在由AspenCore主辦的IIC Shanghai - 2026國際集成電路展覽會暨研討會期間,珠海智融科技股份有限公司重磅產品可直驅碳化硅(SiC)高頻準諧振模式反激控制器SW1192。憑借領先的技術創新、成熟的量產能力與優異的系統表現,SW1192還獲選為2026年度中國IC設計成就獎之熱門IC產品獎:年度電源管理IC。
該控制器專為離線式反激電源、PD快充充電器、電源適配器等場景量身打造,是國內首款面向消費級市場、可直驅SiC MOS管的專用控制芯片,解決了傳統將SiC引入中小功率充電器時常見的門極驅動與系統復雜度問題。在填補國內技術與產品空白的同時,也為SiC在消費電子領域規模化落地提供了國產化核心控制方案。
開創SiC直驅新方案
當前,全球電源產業正朝著高頻化、高功率密度、高能效、高可靠性方向加速升級。碳化硅(SiC)作為第三代半導體核心材料,憑借耐壓范圍寬、耐高溫性能強、導通電阻溫度系數優、抗浪涌與短路能力突出等優勢,逐步成為中高端電源的首選方案。
但傳統工業級輔助電源受限于高母線電壓,需要采用雙管反激的Si MOS方案,成本高昂,且主流方案多為固定頻率、無谷底導通,高壓工況下開關損耗顯著。即便采用SiC方案,仍需外置專用驅動,成本較高且設計復雜,難以適配小體積集成需求。
消費電子領域,PD快充等場景追求小型化、高集成、高效率、低成本和高可靠性。當前國內直驅 GaN方案雖已成熟,但消費級直驅SiC反激控制器仍為空白,而且現有方案依賴外置驅動與復雜外圍,導致成本高、體積大、一致性差,制約了SiC器件在消費端的普及。
智融科技SW1192的可直驅特性有效降低了將SiC器件整合到既有反激拓撲時的設計門檻。對于需要在小體積下兼顧高功率與高效率的適配器與充電器產品線,開發者可以借助智融科技提供的參考設計快速完成樣機驗證與性能評估,減少外置門極驅動、電磁兼容調試與保護邏輯驗證所耗費的人力與時間成本,加快樣機迭代與量產準備。
產品核心亮點
高集成直驅架構,極簡系統設計
SW1192內置專用DRV驅動級,驅動電壓達17V以上,完美適配SiC MOS的驅動要求。產品無需外置驅動電路,顯著減少外圍器件、降低BOM成本、縮小PCB尺寸,可直接驅動SiC MOS管,助力電源產品進一步小型化與高集成度。。
超寬供電范圍,全場景穩定適配
支持12V–90V超寬范圍VDD供電,適配PD充電器、電池充電器和LED驅動電源等寬范圍輸出應用,無需外加LDO,降低成本和節約PCB空間尺寸。內置輸入欠壓和過壓保護,可從容應對電網波動、多場景供電切換等復雜工況,在消費電子、工業電源、車載輔助電源等場景均能穩定工作,系統兼容性與適應性大幅提升。
精準谷底鎖定的準諧振技術,高效低噪優EMI
集成精準谷底鎖定、谷底導通、頻率抖動、軟啟動等多項準諧振優化技術,可避免谷底頻繁切換帶來的紋波與噪聲惡化,有效降低開關損耗、優化EMI表現,在高頻工作狀態下依然保持高效率與良好電磁兼容,輕松通過各國嚴苛EMC認證。
多模式靈活運行,全負載段高效
兼容QR準諧振、DCM斷續導通、BURST突發模式,配合智融科技自研自適應驅動調節技術,可根據負載狀態動態調整驅動強度,優化全負載段效率與同步整流管應力,兼顧輕載低待機功耗(<50mW)與滿載輸出能力,實現更低溫升與更低散熱成本。
完善保護機制,高可靠長壽命
搭載自適應輸出電壓的LPS過流保護、輸入過壓/欠壓保護、輸出開路/短路保護、內置+外置雙重過溫保護等多重安全機制,覆蓋全場景異常工況保護,大幅提升電源系統長期工作可靠性與穩定性。
量產落地:覆蓋多場景,峰值效率超過94%
SW1192H已實現規模化量產,成功應用于:
65W PD快充(單C口/2C1A)
12V/24V系列電源適配器
120W 工業級適配器
168W 電池充電器
HVDC 800V、OBC車載輔助電源、工業三相電輔助電源
實測數據顯示,基于SW1192的SiC方案峰值效率達94%以上,溫升更低、散熱成本更優,相比傳統超結MOS方案體積更小、溫度更好、可靠性更強。
作為國內少數具備SiC、GaN全系列驅動與控制芯片研發能力的企業,智融科技目前已構建起覆蓋E?GaN、D?GaN、SiC驅動的完整產品矩陣。未來,智融科技將繼續深耕第三代半導體電源控制賽道,不斷拓展消費電子、工業電源、新能源汽車、儲能等領域應用,為全球客戶提供一站式智慧電源解決方案。
關于智融科技
珠海智融科技股份有限公司,成立于2014年,專注數模混合模擬芯片研發,核心產品涵蓋AC?DC控制器、DC?DC轉換器、快充協議芯片、第三代半導體(GaN/SiC)驅動與控制器等,廣泛應用于消費電子、工業電源、新能源車載、通信電源等領域。公司堅持自主創新,以技術為核心、以市場為導向,致力于成為全球頂尖的數字模擬芯片設計公司。
審核編輯 黃宇
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