深入剖析 onsemi NVCR8LS4D1N15MCA N 溝道功率 MOSFET

在功率電子領域，MOSFET 作為關鍵元件，其性能直接影響著整個系統的效率和穩定性。今天，我們就來詳細探討一下 onsemi 公司的 NVCR8LS4D1N15MCA 這款 150V N 溝道功率 MOSFET。

文件下載：NVCR8LS4D1N15MCA-DIE-D.PDF

產品特點

低導通電阻

典型的導通電阻 (R{DS(on)}) 在 (V{GS}=10V) 時為 (2.9mΩ)，這一特性使得在導通狀態下，MOSFET 的功率損耗降低，提高了系統的效率。大家不妨思考一下，低導通電阻在實際應用中，對于降低發熱、延長設備使用壽命能起到多大的作用呢？

低柵極電荷

典型的總柵極電荷 (Q{g(tot)}) 在 (V{GS}=10V) 時為 (90.4nC)，較低的柵極電荷意味著更快的開關速度，能夠減少開關損耗，提升系統的響應速度。

汽車級認證與環保合規

該產品通過了 AEC - Q101 認證，符合汽車級應用的嚴格要求，同時滿足 RoHS 標準，環保性能出色，適用于對可靠性和環保性有較高要求的應用場景。

產品尺寸與訂購信息

尺寸規格

• 裸片尺寸為 (6604×4445)，鋸切后的尺寸為 (6584 ± 15×4425 ± 15)。
• 源極連接面積為 ((6023.6 × 2057.5) × 2)，柵極連接面積為 (330 × 600)。
• 裸片厚度為 (203.2 ± 25.4)。

訂購信息

NVCR8LS4D1N15MCA 提供晶圓形式，鋸切后附著在箔片上。

存儲條件

建議存儲溫度范圍為 22 至 28°C，相對濕度為 40 至 66%。在這樣的環境下存儲，能夠確保 MOSFET 的性能穩定。大家在實際應用中，是否會格外關注存儲條件對元件性能的影響呢？

電氣特性

最大額定值

需要注意的是，超過最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。

電氣特性參數

關斷特性

• 漏源擊穿電壓 (B{VDS}) 在 (I{D}=250A)，(V_{GS}=0V) 時為 150V。
• 漏源泄漏電流 (I{DSS}) 在 (V{DS}=120V)，(V{GS}=0V)，(T{J}=25°C) 時為 1A。
• 柵源泄漏電流 (I{GSS}) 在 (V{GS}= ±20V) 時為 ±100nA。

導通特性

• 柵源閾值電壓 (V{GS(th)}) 在 (V{GS}=V{DS})，(I{D}=584A) 時為 2.5 - 4.5V。
• 漏源導通電阻 (R{DS(on)}) 在 (I{D}=80A)，(V{GS}=10V)，(T{J}=25°C) 時為 3.1 - 4.4mΩ。

動態特性

• 輸入電容 (C{iss}) 在 (V{DS}=75V)，(V_{GS}=0V)，(f = 1MHz) 時為 7490pF。
• 輸出電容 (C_{oss}) 為 2055pF。
• 反向傳輸電容 (C_{rss}) 為 27.2pF。
• 柵極電阻 (R_{g}) 在 (f = 1MHz) 時為 1.3Ω。
• 總柵極電荷 (Q{g(tot)}) 在 (V{GS}=10V)，(V{DS}=75V)，(I{D}=80A) 時為 90.4nC。

開關特性

• 開通延遲時間 (t{d(on)}) 在 (V{DD}=75V)，(I{D}=80A)，(V{GS}=10V)，(R_{GEN}=6) 時為 47ns。
• 上升時間 (t_{r}) 為 115ns。
• 關斷延遲時間 (t_{d(off)}) 為 58ns。
• 下降時間 (t_{f}) 為 11ns。

漏源二極管特性

• 源漏二極管電壓 (V{SD}) 在 (I{SD}=80A)，(V_{GS}=0V) 時為 1.2V。
• 反向恢復時間 (t{rr}) 在 (I{F}=80A)，(dI_{SD}/dt = 100A/s) 時為 84ns。
• 反向恢復電荷 (Q_{rr}) 為 180nC。

典型特性曲線

文檔中提供了一系列典型特性曲線，如導通區域特性、傳輸特性、導通電阻與 (V_{GS}) 的關系、導通電阻與漏極電流和柵極電壓的關系等。這些曲線能夠幫助工程師更直觀地了解 MOSFET 在不同工作條件下的性能表現，在實際設計中，合理參考這些曲線可以優化電路的性能。大家在設計過程中，是否經常會根據這些特性曲線來調整設計參數呢？

綜上所述，onsemi 的 NVCR8LS4D1N15MCA N 溝道功率 MOSFET 憑借其出色的性能特點和豐富的電氣特性，適用于多種功率電子應用場景。在實際設計中，工程師需要根據具體的應用需求，綜合考慮各項參數，以確保系統的高效穩定運行。