深入解析LTC3822:低輸入電壓同步降壓DC/DC控制器的卓越之選
在電子設計領域,電源管理是至關重要的一環。今天,我們將深入探討Linear Technology的LTC3822,一款專為低輸入電壓應用設計的同步降壓DC/DC控制器。
文件下載:LTC3822.pdf
一、LTC3822概述
LTC3822是一款同步降壓開關穩壓器控制器,它能夠驅動外部N溝道功率MOSFET,并且只需使用少量外部組件。該控制器采用恒定頻率電流模式架構,結合MOSFET (V_{DS}) 感應技術,無需使用感測電阻,從而提高了效率。其最大占空比可達99%,可實現低壓差運行。此外,開關頻率最高可編程至750kHz,允許使用小型表面貼裝電感器和電容器。
二、主要特性
2.1 無需電流感測電阻
傳統的DC/DC控制器通常需要使用電流感測電阻來監測電流,但LTC3822通過MOSFET (V_{DS}) 感應技術,消除了對感測電阻的需求,不僅降低了成本,還提高了效率。
2.2 全N溝道MOSFET同步驅動
采用全N溝道MOSFET同步驅動,能夠實現高電流輸出,適用于各種高功率應用。
2.3 恒定頻率電流模式操作
這種操作模式提供了出色的線路和負載瞬態響應,確保輸出電壓的穩定性。
2.4 寬輸入電壓范圍
輸入電壓范圍為2.75V至4.5V,適用于多種電源系統,如3.3V電源系統和鋰離子電池系統。
2.5 高精度參考電壓
具有±1%的0.6V參考電壓,保證了輸出電壓的準確性。
2.6 低壓差操作
最大占空比可達99%,可實現低壓差運行,提高了電源效率。
2.7 可選頻率
提供300kHz、550kHz和750kHz三種可選頻率,可根據應用需求進行靈活選擇。
2.8 內部軟啟動電路
內部軟啟動電路可防止啟動時的電流沖擊,保護電路元件。
2.9 可選最大峰值電流感測閾值
通過IPRG引腳可選擇不同的最大峰值電流感測閾值,以滿足不同的應用需求。
2.10 數字RUN控制引腳
數字RUN控制引腳可方便地控制芯片的啟動和關閉。
2.11 輸出過壓保護
具備輸出過壓保護功能,可防止輸出電壓過高對負載造成損壞。
2.12 微功耗關斷
關斷時的靜態電流僅為7.5μA,可有效降低功耗。
2.13 小型封裝
提供3mm × 3mm的DFN或10引腳的MSOP封裝,節省了電路板空間。
三、應用領域
3.1 3.3V輸入系統
LTC3822的輸入電壓范圍適用于3.3V電源系統,可為各種電子設備提供穩定的電源。
3.2 鋰離子電池系統
在鋰離子電池系統中,LTC3822可將電池電壓轉換為所需的輸出電壓,為設備提供可靠的電源。
四、電氣特性
4.1 輸入直流電源電流
在正常工作時,輸入直流電源電流典型值為340μA,最大值為500μA;在關斷模式下,電流僅為7.5μA。
4.2 欠壓鎖定閾值
輸入電壓下降時,欠壓鎖定閾值為1.95V至2.55V;輸入電壓上升時,閾值為2.15V至2.75V。
4.3 調節反饋電壓
調節反饋電壓為0.594V至0.606V,精度為±1%。
4.4 輸出電壓線路調節
輸出電壓線路調節為0.025%/V至0.1%/V。
4.5 輸出電壓負載調節
輸出電壓負載調節在不同的ITH電壓下有所不同,范圍為-0.5%至0.5%。
4.6 過壓保護閾值
過壓保護閾值為0.66V至0.70V,滯回為20mV。
4.7 振蕩器頻率
振蕩器頻率可通過FREQ引腳進行選擇,分別為300kHz、550kHz和750kHz。
五、引腳功能
5.1 BG(引腳1)
底部柵極驅動器輸出,驅動外部底部MOSFET的柵極。
5.2 TG(引腳2)
頂部柵極驅動器輸出,驅動外部頂部MOSFET的柵極。
5.3 BOOST(引腳3)
柵極驅動器電路的正電源引腳,通過外部肖特基二極管從 (V_{IN}) 充電的自舉電容器連接在BOOST和SW引腳之間。
5.4 (V_{IN})(引腳4)
為控制電路供電,并作為差分電流比較器的正輸入。
5.5 SW(引腳5)
開關節點連接到電感器,也是差分電流比較器的負輸入和反向電流比較器的輸入。
5.6 FREQ(引腳6)
頻率選擇輸入,可選擇300kHz、550kHz或750kHz的開關頻率。
5.7 IPRG(引腳7)
選擇 (V_{IN}) 和SW引腳之間的最大峰值感測電壓。
5.8 (V_{FB})(引腳8)
反饋引腳,接收來自外部電阻分壓器的遠程感測反饋電壓。
5.9 ITH(引腳9)
電流閾值和誤差放大器補償點,決定主電流比較器的閾值。
5.10 RUN(引腳10)
運行控制輸入,將該引腳拉低可關閉芯片,驅動該引腳至 (V_{IN}) 或釋放該引腳可使芯片啟動。
5.11 GND(引腳11)
暴露焊盤,必須焊接到PCB的接地層,以實現電氣連接和最佳熱性能。
六、工作原理
6.1 主控制回路
LTC3822采用恒定頻率、電流模式架構。在正常工作時,頂部外部N溝道功率MOSFET在時鐘設置RS鎖存器時導通,在電流比較器(ICMP)重置鎖存器時關斷。ICMP重置RS鎖存器時的峰值電感器電流由ITH引腳的電壓決定,該電壓由誤差放大器(EAMP)的輸出驅動。 (V{FB}) 引腳接收來自外部電阻分壓器的輸出電壓反饋信號,該信號與內部0.6V參考電壓進行比較。當負載電流增加時, (V{FB}) 相對于0.6V參考電壓略有下降,導致 (I_{TH}) 電壓增加,直到平均電感器電流與新的負載電流匹配。當頂部N溝道MOSFET關斷時,底部N溝道MOSFET導通,直到電感器電流開始反向或下一個周期開始。
6.2 關斷和軟啟動
通過將RUN引腳拉低可關閉LTC3822,此時所有控制器功能均被禁用,芯片僅消耗7.5μA的電流。釋放RUN引腳后,內部0.7μA電流源將RUN引腳拉高至 (V{IN}) ,當RUN引腳達到1.1V時,控制器啟用。啟動時,LTC3822的內部軟啟動電路控制 (V{OUT}) 的上升,誤差放大器EAMP將反饋信號 (V_{FB}) 與內部軟啟動斜坡進行比較,該斜坡在約650μs內從0V線性上升至0.6V,使輸出電壓從0V平穩上升至最終值,同時控制電感器電流。
6.3 輕載操作
在低負載電流時,LTC3822以不連續模式運行。反向電流比較器RICMP感測底部外部N溝道MOSFET的漏源電壓,當電感器電流達到零時,該MOSFET關斷。在某些操作條件下,短暫的電感器電流反向可能導致連續開關操作。
6.4 短路保護
LTC3822通過監測 (V{FB}) 來檢測 (V{OUT}) 上的短路。當 (V{FB}) 接近地時,開關頻率降低,以防止電感器電流失控。當 (V{FB}) 高于地時,振蕩器頻率將逐漸恢復正常。該功能在啟動期間禁用。
6.5 輸出過壓保護
過壓比較器(OVP)可防止輸出電壓的瞬態過沖以及其他可能導致輸出過壓的嚴重情況。當 (V_{FB}) 引腳的反饋電壓比0.6V參考電壓高13.33%時,外部頂部MOSFET關斷,底部MOSFET導通,直到過壓情況消除。
6.6 頻率選擇和鎖相環
開關頻率的選擇是效率和組件尺寸之間的權衡。低頻操作可通過減少MOSFET開關損耗來提高效率,但需要更大的電感和/或電容來保持低輸出紋波電壓。LTC3822的開關頻率可通過FREQ引腳進行控制,可選擇550kHz、750kHz或300kHz。
6.7 欠壓鎖定
為防止電源在安全輸入電壓水平以下運行,LTC3822內置了欠壓鎖定功能。當輸入電源電壓( (V_{IN}) )降至2.25V以下時,外部MOSFET和所有內部電路關閉,僅欠壓模塊消耗幾微安的電流。
6.8 峰值電流感測電壓選擇和斜率補償
當LTC3822控制器的占空比低于20%時,外部頂部MOSFET兩端允許的峰值電流感測電壓由IPRG引腳的狀態決定。當占空比超過20%時,斜率補償開始起作用,有效降低峰值感測電壓。
6.9 升壓電容器刷新超時
為保持CB兩端的足夠電荷,若底部MOSFET在任何時候保持關斷10個開關周期,轉換器將短暫關閉頂部MOSFET并打開底部MOSFET,這種情況最常見于壓差情況。
七、應用信息
7.1 功率MOSFET選擇
LTC3822的控制器需要外部N溝道功率MOSFET作為頂部(主)和底部(同步)開關。選擇功率MOSFET時,主要考慮的參數包括擊穿電壓 (V{BR(DSS)}) 、閾值電壓 (V{GS(TH)}) 、導通電阻 (R{DS(ON)}) 、反向傳輸電容 (C{RSS}) 、關斷延遲 (t{D(OFF)}) 和總柵極電荷 (Q{G}) 。由于LTC3822設計用于低輸入電壓操作,需要使用亞邏輯電平MOSFET( (R{DS(ON)}) 在 (V{GS}=2.5V) 時得到保證)。
7.2 工作頻率
工作頻率的選擇是效率和組件尺寸之間的權衡。低頻操作可通過減少MOSFET開關損耗來提高效率,但需要更大的電感來保持低輸出紋波電壓。LTC3822的內部振蕩器在FREQ引腳浮空時以標稱550kHz的頻率運行,將FREQ引腳拉至 (V_{IN}) 可選擇750kHz的操作,拉至GND可選擇300kHz的操作。
7.3 電感值計算
給定所需的輸入和輸出電壓、電感值和工作頻率,電感的峰峰值紋波電流可通過公式 (I{RIPPLE}=frac{V{OUT}}{V{IN}}cdotfrac{V{IN}-V{OUT}}{f{OSC}cdot L}) 計算。為了保證紋波電流不超過指定的最大值,電感應根據公式 (Lgeqfrac{V{IN}-V{OUT}}{f{OSC}cdot I{RIPPLE}}cdotfrac{V{OUT}}{V{IN}}) 進行選擇。
7.4 電感磁芯選擇
高效率轉換器通常需要使用低損耗的磁芯材料,如鐵氧體、鉬坡莫合金或Kool Mμ?磁芯。鐵氧體設計具有非常低的磁芯損耗,適用于高開關頻率;鉬坡莫合金是一種低損耗的磁芯材料,但價格較高;Kool Mμ是一種折中的選擇。
7.5 肖特基二極管選擇(可選)
肖特基二極管D在功率MOSFET導通之間的死區時間內傳導電流,可防止底部MOSFET的體二極管導通并存儲電荷,從而提高效率。對于大多數LTC3822應用,2A的肖特基二極管通常是一個不錯的選擇。
7.6 (C{IN}) 和 (C{OUT}) 選擇
在連續模式下,頂部MOSFET的源電流是一個占空比為 ((V{OUT}/V{IN})) 的方波。為防止大的電壓瞬變,需要使用低ESR的輸入電容器,其最大RMS電流可通過公式 (I{RMS}approx I{MAX}cdotfrac{V{OUT}cdot(V{IN}-V{OUT})^{1/2}}{V{IN}}) 計算。輸出電容 (C{OUT}) 的選擇主要取決于有效串聯電阻(ESR),輸出紋波可通過公式 (Delta V{OUT}approx I{RIPPLE}cdot(ESR+frac{1}{8cdot fcdot C{OUT}})) 近似計算。
7.7 頂部MOSFET驅動電源
外部自舉電容器 (C{B}) 通過二極管 (D{B}) 從升壓電源(通常為 (V{IN}) )充電,當MOSFET導通時, (C{B}) 的電壓施加在所需器件的柵源之間。 (C{B}) 的電容必須是頂部MOSFET總輸入電容的100倍, (D{B}) 的反向擊穿電壓必須大于 (V_{IN(MAX)}) 。
7.8 設置輸出電壓
LTC3822的輸出電壓由外部反饋電阻分壓器設置,公式為 (V{OUT}=0.6Vcdot(1+frac{R{B}}{R{A}})) 。對于大多數應用,建議 (R{A}) 使用59k電阻。在需要最小化靜態電流的應用中, (R_{A}) 應增大以限制反饋分壓器電流。
7.9 低輸入電源電壓
盡管LTC3822可以在低于2.4V的電壓下工作,但隨著 (V_{IN}) 低于3V,最大允許輸出電流會降低。
7.10 最小導通時間考慮
最小導通時間 (t{ON(MIN)}) 是LTC3822能夠將頂部MOSFET導通的最短時間,由內部定時延遲和開啟頂部MOSFET所需的柵極電荷決定。在低占空比和高頻應用中,應確保 (t{ON(MIN)}
7.11 效率考慮
開關穩壓器的效率等于輸出功率除以輸入功率。LTC3822電路中的主要損耗源包括LTC3822的直流偏置電流、MOSFET柵極電荷電流、 (I^{2}R) 損耗和過渡損耗。通過分析這些損耗源,可以確定限制效率的因素,并采取相應的措施來提高效率。
7.12 檢查瞬態響應
可以通過觀察負載瞬態響應來檢查調節器環路響應。當負載階躍發生時, (V{OUT}) 會立即偏移一個等于 ((Delta I{LOAD})cdot(ESR)) 的量,其中ESR是 (C{OUT}) 的有效串聯電阻。 (Delta I{LOAD}) 還會開始對 (C{OUT}) 進行充電或放電,產生一個反饋誤差信號,調節器利用該信號將 (V{OUT}) 恢復到穩態值。在恢復期間,可以監測 (V_{OUT}) 是否存在過沖或振鈴,以判斷是否存在穩定性問題。
八、設計示例
假設輸入電壓 (V{IN}) 為3.3V,輸出電壓為1.2V,負載電流要求為10A。IPRG和FREQ引腳浮空,最大電流感測閾值 (Delta V{SENSE(MAX)}) 約為120mV,開關頻率為550kHz。
8.1 占空比計算
占空比 (Duty Cycle=frac{V{OUT}}{V{IN}}=36.4%)
8.2 導通電阻計算
從圖1可知,SF = 96%。 (R{DS(ON) MAX}=frac{5}{6}cdot0.9cdot SFcdotfrac{Delta V{SENSE(MAX)}}{I{OUT(MAX)cdotrho{T}}}=0.011Omega) 選擇Si4486DY,其 (R_{DS(ON)}) 為9mΩ。
8.3 電感值計算
對于4A的紋波電流,所需的最小電感值為: (L_{MIN}=frac{1.2V}{550kHzcdot4A}cdot(1-frac{1.2V}{3.3V})=0.35mu H) 選擇22A 0.39μH的電感器。
8.4 輸入電容和輸出電容選擇
(C_{IN}
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