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ADP2325:高性能雙輸出降壓調節器的深度解析

h1654155282.3538 ? 2026-03-09 16:20 ? 次閱讀
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ADP2325:高性能雙輸出降壓調節器的深度解析

在電子設計領域,電源管理一直是至關重要的一環。今天,我們要深入探討一款功能強大的電源管理芯片——ADP2325,它是一款雙輸出降壓型 DC - DC 調節器,能滿足多種應用場景的需求。

文件下載:ADP2325.pdf

一、核心性能參數與特性

1. 輸入輸出特性

ADP2325 的輸入電壓范圍為 4.5 V 至 20 V,輸出電壓可低至 0.6 V,輸出精度高達 ±1%。它有靈活的輸出配置,既可以實現雙 5 A 輸出,也能通過并聯實現單 10 A 輸出。這種靈活性使得它在不同功率需求的應用中都能游刃有余。

2. 集成元件與頻率特性

芯片集成了典型值為 48 mΩ 的高端 MOSFET,這在一定程度上減小了芯片的體積和功耗。其開關頻率可在 250 kHz 至 1.2 MHz 之間進行編程,還支持外部同步輸入和可編程相移,或者作為內部時鐘輸出。這種特性在多軌應用中能有效減少干擾。

3. 工作模式與保護功能

ADP2325 支持可選的 PWM 或 PFM 模式操作。在輕負載時,PFM 模式可提高效率;而在對噪聲敏感的應用中,強制 PWM 模式則更為合適。同時,它具備完善的保護功能,包括欠壓鎖定(UVLO)、過壓保護(OVP)、過流保護和熱關斷,能有效保障系統的可靠性。

二、工作原理剖析

1. 控制方案

ADP2325 采用固定頻率、電流模式的 PWM 控制架構。在中等到滿載時,通過調整集成 N 溝道 MOSFET 的占空比來調節輸出電壓;在輕負載且 PFM 模式啟用時,會切換到節能模式,通過調整開關頻率來調節輸出電壓,從而降低開關損耗,提高效率。

2. 關鍵電路模塊

  • 內部穩壓器(INTVCC):為內部控制電路和低端柵極驅動器提供穩定的偏置電壓,建議在 INTVCC 和 GND 之間放置 1 μF 陶瓷電容
  • 自舉電路:集成了自舉調節器,在 BSTx 和 SWx 引腳之間產生 5 V 自舉電壓,推薦使用 0.1 μF 的 X7R 或 X5R 陶瓷電容。
  • 低端驅動器:DLx 引腳為低端 N 溝道 MOSFET 提供柵極驅動,內部電路確保開關的先斷后通,防止交叉導通。VDRV 引腳為低端驅動器供電,建議在該引腳附近放置 1 μF 陶瓷電容。
  • 振蕩器:通過在 RT 到 GND 之間連接一個電阻來編程開關頻率,計算公式為 (f{SW}[kHz]=frac{60,000}{R{OSC}[kΩ]})。
  • 同步功能:SYNC 引腳可通過設置 SCFG 引腳配置為輸入或輸出。配置為輸出時,產生與內部開關頻率相同的時鐘;配置為輸入時,ADP2325 會同步到外部時鐘,且內部時鐘需編程低于外部時鐘,相移可通過 SCFG 引腳編程。
  • 軟啟動:通過在 SSx 引腳和 GND 之間放置電容來編程軟啟動時間,計算公式為 (t{SS}=frac{0.6 V × C{SS}}{I_{SS}})。在軟啟動期間,會采用頻率折返來防止輸出電流失控。
  • 峰值電流限制和短路保護:通過在 DLx 和 PGND 之間放置電阻來編程峰值電流限制值,采用打嗝模式進行過流保護。同時,具備負電流限制功能,當低端 FET 電壓超過閾值時,低端 FET 會立即關閉。
  • 電壓跟蹤:TRKx 引腳允許輸出電壓跟蹤外部(主)電壓,可實現同步跟蹤和比例跟蹤,適用于需要電源排序的 FPGADSPASIC 等應用。
  • 并行操作:支持 2 相并行操作,提供單 10 A 輸出。配置時需將 FB2 引腳連接到 INTVCC,將 COMP1 連接到 COMP2,EN1 連接到 EN2,使用 SS1 設置軟啟動時間,SS2 保持開路。
  • 電源良好指示:PGOODx 引腳為高電平有效、開漏輸出,指示調節器輸出電壓是否在規定范圍內。
  • 過壓保護:當反饋電壓增加到 0.7 V 時,內部高端 MOSFET 和低端驅動器關閉,直到 FBx 引腳電壓降至 0.63 V 才恢復正常操作。
  • 欠壓鎖定:UVLO 閾值為 4.2 V,具有 0.5 V 滯后,防止設備上電時出現毛刺。
  • 熱關斷:當結溫超過 150°C 時,熱關斷電路會關閉調節器,當溫度降至 135°C 以下時才恢復,恢復前會先進行軟啟動。

三、應用設計要點

1. 輸入電容選擇

輸入去耦電容用于衰減輸入的高頻噪聲并作為能量存儲元件,應選擇 10 μF 至 47 μF 的陶瓷電容,并放置在 PVINx 引腳附近。其電壓額定值必須大于最大輸入電壓,且 rms 電流額定值要滿足 (I{C{IN}-rms}=I_{OUT} × sqrt{D ×(1 - D)})。

2. 輸出電壓設置

通過外部電阻分壓器設置輸出電壓,公式為 (V{OUT}=0.6 ×(1 + frac{R{TOP}}{R{BOT}}))。為了將 FBx 引腳偏置電流導致的輸出電壓精度下降限制在 0.5% 以內,(R{BOT}) 應小于 30 kΩ。

3. 電壓轉換限制

輸出電壓受最小導通時間和最小關斷時間以及最大占空比的限制。最小輸出電壓可通過 (V_{OUTMIN}=V{IN} × t_{MINON} × f{SW}-(R{DSON1}-R{DSON2}) × I_{OUTMIN} × t{MINON} × f{SW}-(R{DSON2}+R{L}) × I_{OUT_MIN}) 計算,最大輸出電壓可根據不同情況使用相應公式計算。降低開關頻率可緩解最小導通時間和最小關斷時間的限制。

4. 電流限制設置

ADP2325 有兩個可選的電流限制閾值,所選電流限制值應大于電感的峰值電流 (I_{PEAK})。

5. 電感選擇

電感值由工作頻率、輸入電壓、輸出電壓和電感紋波電流決定。一般將電感紋波電流 (Delta I{L}) 設置為最大負載電流的三分之一,電感值計算公式為 (L=frac{(V{IN}-V{OUT}) × D}{Delta I{L} × f_{SW}})。同時,電感的飽和電流必須大于電感峰值電流,推薦使用屏蔽鐵氧體磁芯材料以降低磁芯損耗和 EMI。

6. 輸出電容選擇

輸出電容的選擇會影響輸出電壓紋波和調節器的環路動態。根據負載瞬態和輸出紋波要求,可使用不同公式計算所需電容值,選擇最大的電容值以滿足性能要求。輸出電容的電壓額定值必須大于輸出電壓,其最小 rms 電流額定值由 (I{C{OUT}-rms}=frac{Delta I_{L}}{sqrt{12}}) 確定。

7. 低端功率器件選擇

ADP2325 集成了低端 MOSFET 驅動器,可驅動低端 N 溝道 MOSFET。所選 MOSFET 的漏源電壓 (V{DS}) 必須高于 (1.2 × V{IN}),漏極電流 (I{D}) 必須大于 (1.2 × I{LIMIT_MAX}),且能在 5 V 下完全導通,總柵極電荷 (Qg) 應小于 50 nC。在某些情況下,也可選擇二極管作為低端功率器件,但此時需將 MODE 引腳連接到地以啟用 PFM 模式。

8. 編程 UVLO 輸入

可通過精密使能輸入來編程輸入電壓的 UVLO 閾值和滯后,使用特定公式計算 (R_{TOPEN}) 和 (R{BOT_EN})。

9. 補償組件設計

在峰值電流模式控制中,通過選擇合適的補償組件 (R{C})、(C{C}) 和 (C{CP}) 來補償系統。一般將交叉頻率 (f{C}) 設置在 (f{sw} / 12) 和 (f{sw} / 6) 之間,然后根據相應公式計算補償組件的值。

四、設計實例

以一個具體的設計為例,假設我們需要設計一個雙降壓 DC - DC 調節器,參數如下: 參數 通道 1 通道 2
輸入電壓 (V_{IN1}=12.0 V ± 10%) (V_{IN2}=12.0 V ± 10%)
輸出電壓 (V_{OUT1}=1.2 V) (V_{OUT2}=3.3 V)
輸出電流 (I_{OUT1}=5 A) (I_{OUT2}=5 A)
輸出電壓紋波 (Delta V_{OUT1_RIPPLE}=12 mV ±5%) (Delta V_{OUT2_RIPPLE}=33 mV ±5%)
負載瞬態 1 A 至 4 A,1 A/μs 1 A 至 4 A,1 A/μs
開關頻率 (f_{SW}=500 kHz)

1. 輸出電壓設置

根據公式 (R{BOT}=R{TOP} ×(frac{0.6}{V{OUT}-0.6})),選擇 (R{TOP}=10 kΩ),計算得出通道 1 的 (R{BOT1}=10 kΩ),通道 2 的 (R{BOT2}=2.21 kΩ)。

2. 電流限制設置

對于 5 A 輸出電流操作,典型峰值電流限制為 8 A,此時無需 (R_{ILIM})。

3. 頻率設置

根據公式 (R{OSC}(kΩ)=frac{60,000}{f{SW}(kHz)}),計算得出 (R_{OSC}=120 kΩ)。

4. 電感選擇

將電感紋波電流 (Delta I{L}) 設置為最大輸出電流的 30%,根據公式 (L=frac{(V{IN}-V{OUT}) × D}{Delta I{L} × f_{SW}}) 計算電感值,通道 1 選擇 1.5 μH 的電感,通道 2 選擇 3.3 μH 的電感。

5. 輸出電容選擇

根據輸出電壓紋波和負載瞬態要求,使用相應公式計算電容值和 ESR。通道 1 推薦使用三個 100 μF、X5R、6.3 V 的陶瓷電容,通道 2 推薦使用兩個 47 μF、X5R、6.3 V 的陶瓷電容。

6. 低端 MOSFET 選擇

選擇低 (R{DSON}) 的 N 溝道 MOSFET,如 Fairchild 的 FDS8880,其 (R{DSON}) 在 4.5 V 驅動電壓下為 12 mΩ,總柵極電荷為 12 nC。

7. 補償組件

將交叉頻率 (f{C}) 設置為 (f{sw} / 10),即 50 kHz。根據相應公式計算補償組件的值,通道 1 選擇 (R{C1}=28 kΩ),(C{C1}=1500 pF);通道 2 選擇 (R{C2}=27 kΩ),(C{C2}=1500 pF)。

8. 軟啟動時間編程

將軟啟動時間設置為 3 ms,根據公式 (C{ss}=frac{I{ss} × t{ss}}{0.6 V}) 計算得出 (C{SS}=17.5 nF),選擇標準組件值 (C{SS1}=C{SS2}=22 nF)。

9. 輸入電容選擇

選擇一個 10 μF、25 V 的 X5R 陶瓷電容,放置在 PVINx 引腳附近。

五、典型應用電路

文檔中給出了多種典型應用電路,包括使用外部 MOSFET、外部二極管、并行單輸出、啟用 PFM 模式、通道間同步相移、可編程輸入電壓閾值、通道跟蹤等不同場景的電路示例,為工程師在實際設計中提供了豐富的參考。

ADP2325 憑借其豐富的功能和靈活的配置,在通信基礎設施、網絡和服務器、工業和儀器儀表、醫療保健等多個領域都有廣泛的應用前景。希望通過本文的介紹,能幫助電子工程師們更好地理解和應用這款芯片,在實際設計中充分發揮其優勢。你在使用 ADP2325 過程中遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區分享交流。

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