Vishay/Dale IHLD2525GG-A1 SMD功率電感器是大電流、汽車級雙電感器,具有線性飽和功能,可降低信號失真。這些電感器具有高瞬態電流尖峰(無飽和)、低耦合(可最大限度地減少電感器之間串擾)以及因復合結構而產生的超低蜂鳴噪聲。 IHLD2525GG-A1電感器改進了磁芯材料的線性磁化,減少了總諧波失真(THD)的形成。這些功率電感器采用磁屏蔽復合結構,與間隙鐵氧體電感器相比,可最大限度地減少磁通泄漏。
數據手冊:*附件:Vishay , Dale IHLD2525GG-A1 SMD 功率電感器數據手冊.pdf
IHLD2525GG-A1電感器的優化設計可提供高品質聲音和低信號失真。這些功率電感器符合RoHS指令,采用二合一封裝,尺寸為7.80mmx7.26mmx7.39mm。典型應用包括D類音頻放大器和多相轉換器。
特性
- 符合汽車類AEC-Q200標準
- 在單一封裝中集成了兩個電感器,可節省電路板空間和組裝時間
- 改進的磁芯材料線性磁化減少了總諧波失真(THD)的形成
- 電感器可串聯、并聯或獨立工作
- 磁屏蔽復合結構最大限度地減少了間隙鐵氧體電感器的磁通泄漏
- 經過優化的設計實現了高音質和低信號失真
- 低耦合設計最大程度地減少了兩個電感器之間的串擾
- 能處理高瞬態電流脈沖,而不出現飽和現象
- 因復合結構,故蜂鳴噪聲超低
- 尺寸:7.80 mm x 7.26 mm x 7.39 mm
- 符合RoHS標準
尺寸圖

原理圖

Vishay IHLD2525GG-A1 雙電感集成模塊的技術解析與應用
?一、核心特性與結構優勢?
- ?緊湊型集成封裝?
- 尺寸僅為 ?7.80 mm × 7.26 mm × 7.39 mm?,在同一封裝內集成兩個獨立電感,顯著節省 PCB 面積與組裝工時。
- 磁屏蔽復合結構有效抑制漏磁,對比傳統帶間隙鐵氧體電感具有更低電磁干擾。
- ?電氣性能突破?
- 采用線性飽和磁芯材料,大幅降低總諧波失真(THD),尤其適用于高保真音頻系統。
- 超低蜂鳴噪聲(Ultra-low buzz noise)與低耦合設計,確保雙電感間串擾最小化。
- 支持 ?**-55 °C 至 +125 °C**? 寬溫工作,并通過 AEC-Q200 車規認證。
?二、電氣參數詳解?
?標準型號電氣規格表?
| 型號 | 電感值 (μH) | DCR典型值 (mΩ) | 飽和電流 (A) | 熱額定電流 (A) |
|---|---|---|---|---|
| IHLD2525GGER3R3MA1 | 3.3 ±20% | 25 | 14.0 (20% Drop) | 6.5 |
| IHLD2525GGER4R7MA1 | 4.7 ±20% | 37 | 10.0 (20% Drop) | 5.5 |
| IHLD2525GGER5R6MA1 | 5.6 ±20% | 47 | 9.2 (20% Drop) | 5.0 |
| IHLD2525GGER100MA1 | 10 ±20% | 86 | 7.5 (20% Drop) | 3.7 |
| IHLD2525GGER150MA1 | 15 ±20% | 117 | 6.4 (20% Drop) | 3.0 |
?關鍵參數說明?
- ?測試條件?:所有數據基于 25°C 環境溫度,100 kHz 頻率及 0.25 V 電壓。
- ?連接方式靈活性?:
- ?串聯?:電感值與 DCR 翻倍(例如 3.3 μH → 6.6 μH)
- ?并聯?:電感值與 DCR 減半(例如 3.3 μH → 1.65 μH)
- ?電流耐受能力?:支持高瞬態電流沖擊(如 IHLD2525GGER3R3MA1 飽和電流達 17.7 A)。
?三、典型應用場景?
- ?D 類音頻功放?
線性飽和特性有效抑制開關噪聲引起的諧波失真,配合 31 MHz(3.3 μH 型號)的高自諧振頻率,保障全頻段信號完整性。 - ?多相變換器?
雙電感獨立控制能力支持多相并聯供電架構,通過并聯連接實現大電流輸出(如 5.6 μH 型號并聯后 DCR 降至 23.5 mΩ)。
?四、設計實踐指南?
- ?散熱管理?:熱額定電流以溫升 ΔT=40°C 為基準,需通過 PCB 銅厚、布局優化及風冷措施控制器件溫度。
- ?布局建議?:參考數據手冊焊盤設計(間距 1.55 mm,焊盤寬度 2.03 mm),避免因焊接應力導致磁芯性能劣化。
- ?可靠性驗證?:在實際應用中需測試極端工況下的部件溫度,確保不超過 125°C 極限值。
?五、性能曲線解讀?
數據手冊提供的電感-電流曲線與頻率特性曲線揭示了以下規律:
- ?電感衰減趨勢?:所有型號在接近飽和電流時電感值下降平緩,例如 4.7 μH 型號在 10 A 電流下仍保持約 60% 初始電感。
- ?Q 值峰化?:Q 值在 1-10 MHz 區間達到峰值(如 10 μH 型號 Q>80),適用于高頻能量存儲場景。
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