Microchip Technology SY75602、SY75603和SY75604 PCIe時鐘緩沖器是扇出緩沖器,提供有超低附加抖動:PCIe 5.0的為10fs,PCIe 3.0/4.0的為20fs,12kHz至20MHz頻段內(nèi)為52fs。SY75602、SY75603和SY75604時鐘緩沖器可以用于所有PCIe 1/2/3/4/5公共時鐘和SRIS應(yīng)用。這些器件嵌入了低壓差穩(wěn)壓器 (LDO),可實現(xiàn)出色的電源噪聲抑制。SY75602、SY75603和SY75604時鐘緩沖器支持1.8V、2.5V和3.3V電源,電源容差為±10%,超過“PCIe卡機電規(guī)范”要求的±9%。
數(shù)據(jù)手冊;*附件:Microchip Technology SY75602、SY75603、SY75604 PCIe時鐘緩沖器數(shù)據(jù)手冊.pdf
雙輸出SY75602 PCIe時鐘緩沖器采用微型1.4mm x 1.6mm VDFN封裝。雙輸出SY75603和四輸出SY75604采用緊湊型3.0mm x 3.0mm VQFN封裝。SY75603和SY75604還具有無干擾每輸出啟用/禁用控制硬件引腳。
Microchip Technology SY7560x PCIe時鐘緩沖器具有-40°C至+105°C擴展工作溫度范圍。
特性
- 兩個 (SY75602A/02B/603A/03B) 和四個 (SY75604A/04B) PCIe 1.0、2.0、3.0、4.0和5.0兼容輸出。
- 10fs超低附加抖動 (PCIe Gen5)
- 支持高達250MHz的頻率
- 對擴頻透明
- 支持1.8V±10%、2.5V±10%和3.3V±10%電源
- 輸出低功耗HCSL,帶嵌入式85Ω (SY75602A/03A/04A) 和100? (SY75602B/03B/04B) 端接電阻
- 在SY75603/604上有單獨的無干擾輸出使能 (OExb) 控制引腳
- 接受直流耦合HCSL輸入信號和交流耦合PECL、LVDS和CML
- 擴展溫度范圍:-40°C至+105°C
- 封裝選項
- 1.4mm x 1.6mm x 0.9mm VDFN (SY75602A/02B)
- 3.0mm x 3.0mm x 0.9mm VQFN (SY75603A/03B/604A/04B)
引腳分配

框圖

SY75602封裝外形

SY75603和SY75604封裝外形

PCIe時鐘緩沖器SY7560x系列技術(shù)解析與應(yīng)用指南?
?一、核心特性與行業(yè)定位?
Microchip SY75602/03/04系列是專為PCIe 1.0至5.0設(shè)計的超低附加抖動時鐘緩沖器,其核心優(yōu)勢包括:
- ?超低抖動性能?:10 fs(PCIe 5.0)、20 fs(PCIe 3.0/4.0),滿足高速串行總線對時序精度的嚴苛要求
- ?多協(xié)議兼容性?:支持DC耦合HCSL輸入及AC耦合PECL/LVDS/CML信號,適應(yīng)不同系統(tǒng)架構(gòu)
- ?靈活供電設(shè)計?:1.8V/2.5V/3.3V ±10%寬電壓輸入,集成LDO提升電源噪聲抑制能力
- ?小型化封裝?:SY75602采用1.4×1.6mm VDFN(業(yè)界最小PCIe時鐘緩沖器),SY75603/04采用3×3mm VQFN
?二、關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新解析?
1. 抖動抑制技術(shù)
- ?相位噪聲優(yōu)化?:典型相位噪聲曲線顯示在100MHz時鐘下,12kHz-20MHz帶內(nèi)RMS抖動僅52fs
- ?電源噪聲隔離?:70dB PSNRR(100kHz噪聲注入)確保電源波動不影響時鐘質(zhì)量
- ?終端集成設(shè)計?:內(nèi)置85Ω/100Ω差分終端電阻(A/B版本差異),減少PCB布局阻抗失配
2. 動態(tài)控制功能
- ?無毛刺輸出使能?:SY75603/04支持獨立OE控制引腳,3.5個時鐘周期完成使能/禁用切換(需4個時鐘上升沿同步)
- ?自適應(yīng)輸入處理?:30mV滯回電壓防止輸入懸空時的隨機抖動,支持0-250MHz全頻率范圍輸入
?三、典型應(yīng)用場景設(shè)計要點?
1. PCIe擴展卡設(shè)計
- ?布局建議?:VQFN封裝需注意ePad接地導(dǎo)熱,ΨJT=5°C/W(3×3mm封裝)
- ?信號完整性?:差分走線阻抗匹配85Ω/100Ω(對應(yīng)A/B版本),參考圖4-4的嵌入式終端結(jié)構(gòu)
2. 服務(wù)器時鐘樹設(shè)計
- ?多器件同步?:器件間輸出偏斜<50ps,建議采用星型拓撲降低時鐘分布偏差
- ?熱管理?:θJA=35.7°C/W(無氣流),高速場景需增加散熱過孔
?四、電氣參數(shù)深度解讀?
| 關(guān)鍵參數(shù) | SY75602A/03A/04A (85Ω) | SY75602B/03B/04B (100Ω) | PCIe規(guī)范要求 |
|---|---|---|---|
| 輸出電流消耗 | 4.0mA (典型) | 3.5mA (典型) | - |
| 交叉點電壓容差 | ±140mV | ±140mV | <±150mV |
| 使能響應(yīng)時間 | 3.5時鐘周期 | 3.5時鐘周期 | - |
| 工作溫度范圍 | -40°C至+105°C | -40°C至+105°C | 商用級 |
?五、設(shè)計驗證參考?
- ?測試負載規(guī)范?(圖1-7):
- ?眼圖測試條件?:
- 測量窗口:-150mV至+150mV(差分)
- 上升/下降時間要求:1-4V/ns(單調(diào)性驗證)
?六、選型指南?
| 型號 | 輸出數(shù) | 封裝尺寸 | 終端阻抗 | 特色功能 |
|---|---|---|---|---|
| SY75602ATWL | 2 | 1.4×1.6mm VDFN | 85Ω | 超緊湊設(shè)計 |
| SY75604BTWL | 4 | 3×3mm VQFN | 100Ω | 全輸出獨立使能 |
該系列器件已通過PCI-SIG認證,可加速產(chǎn)品合規(guī)性測試流程。建議高速設(shè)計優(yōu)先選擇B版本(100Ω)以降低反射損耗。
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